产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP20N60
仓库库存编号：
FCP20N60-ND
别名：FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP57N65M5
仓库库存编号：
497-13113-5-ND
别名：497-13113-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW57N65M5
仓库库存编号：
497-13125-5-ND
别名：497-13125-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19535KTTT
仓库库存编号：
296-41135-1-ND
别名：296-41135-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4227PBF
仓库库存编号：
IRFB4227PBF-ND
别名：SP001565892
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60FTM
仓库库存编号：
FCB20N60FTMCT-ND
别名：FCB20N60FTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9321TRPBF
仓库库存编号：
IRF9321TRPBFCT-ND
别名：IRF9321TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60TM
仓库库存编号：
FCB20N60TMCT-ND
别名：FCB20N60TM_NLCT
FCB20N60TM_NLCT-ND
FCB20N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-268
型号：
IXFT44N50P
仓库库存编号：
IXFT44N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK44N50P
仓库库存编号：
IXFK44N50P-ND
别名：612450
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
型号：
STI57N65M5
仓库库存编号：
497-13107-5-ND
别名：497-13107-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STWA57N65M5
仓库库存编号：
497-13604-5-ND
别名：497-13604-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB55N10TM
仓库库存编号：
FQB55N10TMCT-ND
别名：FQB55N10TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA20N60F
仓库库存编号：
FCA20N60F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN030-150B,118
仓库库存编号：
1727-4772-1-ND
别名：1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 4.3W（Ta），94W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN8403TR
仓库库存编号：
AUIRFN8403CT-ND
别名：AUIRFN8403CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4227TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4227TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4227TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH44N50P
仓库库存编号：
IXFH44N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP55N10
仓库库存编号：
FQP55N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4227PBF
仓库库存编号：
IRFP4227PBF-ND
别名：SP001560510
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF57N65M5
仓库库存编号：
497-13103-5-ND
别名：497-13103-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-268
型号：
IXFT40N85XHV
仓库库存编号：
IXFT40N85XHV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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