产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(8)
TO-220-3(9)
8-PowerVDFN(3)
TO-220-3 整包(6)
TO-247-3(9)
8-PowerTDFN(5)
TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA(2)
TO-3P-3，SC-65-3(7)
TO-264-3，TO-264AA(1)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(3)
TO-247-4(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(4)
ISOPLUS247?(1)
TO-220-3 全封装，成形引线(1)
重新选择
STMicroelectronics(8)
Fairchild/ON Semiconductor(21)
Nexperia USA Inc.(2)
Vishay Siliconix(4)
Texas Instruments(3)
IXYS(9)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(16)
重新选择
表面贴装(25)
通孔(39)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(36)
-55°C ~ 175°C（TJ）(18)
150°C（TJ）(6)
-40°C ~ 175°C（TJ）(4)
重新选择
-(4)
MDmesh? V(7)
TrenchMOS??(2)
NexFET??(3)
PowerTrench?(1)
QFET?(6)
STripFET? F7(1)
SuperFET??(14)
E(1)
HiPerFET??(4)
HiPerFET?，PolarHT?(4)
PolarHV??(1)
OptiMOS??(6)
HEXFET?(8)
HEXFET?，StrongIRFET?(1)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(1)
重新选择
剪切带（CT） (18)
带卷（TR） (4)
管件 (41)
重新选择
在售(41)
不可用于新设计(5)
上次购买时间(1)
过期(17)
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8-SO(2)
D2PAK(3)
TO-220-3(4)
TO-220AB(4)
TO-220(1)
TO-220FP(1)
TO-247(4)
DDPAK/TO-263-3(2)
8-VSON-CLIP（5x6）(1)
PowerFlat?（5x6）(1)
D2PAK（TO-263AB）(4)
TO-220F(3)
TO-247AC(3)
TO-3PN(4)
TO-3P(3)
TO-247AD（IXFH）(2)
TO-268(3)
TO-247-4L(1)
TO-264AA（IXFK）(1)
PG-TDSON-8(1)
PG-TO252-3(1)
PG-TO252-3-313(1)
PQFN（5x6）(2)
PG-TO263-2(1)
TO-262(1)
PG-TO-220-3(1)
ISOPLUS247?(1)
TO-220F-3(1)
I2PAK(1)
8-PQFN（5x6）(2)
PowerPAK? 8 x 8(1)
PG-TO262-3(2)
TO-220F-3（Y 型）(1)
重新选择
MOSFET（金属氧化物）(64)
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±30V(30)
±20V(19)
±16V(1)
±25V(14)
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98nC @ 10V(64)
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3.7 毫欧 @ 90A，10V(1)
63 毫欧 @ 21A，10V(7)
7.2 毫欧 @ 15A，10V(1)
190 毫欧 @ 10A，10V(14)
65 毫欧 @ 16A，10V(1)
2.5 毫欧 @ 30A，10V(1)
1.6 毫欧 @ 30A，10V(1)
3.4 毫欧 @ 100A，10V(2)
24 毫欧 @ 46A，10V(1)
140 毫欧 @ 22A，10V(4)
4 毫欧 @ 90A，10V(3)
30 毫欧 @ 25A，10V(2)
3.8 毫欧 @ 90A，10V(1)
3.3 毫欧 @ 50A，10V(2)
26 毫欧 @ 27.5A，10V(2)
9 毫欧 @ 50A，10V(1)
26 毫欧 @ 46A，10V(2)
25 毫欧 @ 46A，10V(1)
145 毫欧 @ 500mA，10V(2)
271毫欧 @ 7A，10V(1)
5.9 毫欧 @ 50A，10V(1)
1.4 毫欧 @ 60A，10V(1)
230 毫欧 @ 11A，10V(2)
150 毫欧 @ 22A，10V(1)
54 毫欧 @ 35A，10V(2)
6.6 毫欧 @ 90A，10V(1)
7.2 毫欧 @ 16A，10V(1)
26 毫欧 @ 17.1A，10V(1)
26 毫欧 @ 30.5A，10V(1)
17 毫欧 @ 35A，10V(2)
265 毫欧 @ 13.5A，10V(1)
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10V(56)
4.5V，10V(5)
6V，10V(3)
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N 沟道(62)
P 沟道(2)
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24A（Tc）(1)
120A（Tc）(1)
20A（Tc）(14)
42A（Tc）(7)
40A（Tc）(3)
15A（Ta）(1)
90A（Tc）(6)
61A（Tc）(1)
65A（Tc）(2)
15A（Tc）(1)
44A（Tc）(4)
16A（Ta）(1)
55A（Tc）(2)
200A（Ta）(2)
70A（Tc）(4)
95A（Tc）(1)
22A（Tc）(2)
62A（Tc）(2)
17A（Ta），100A（Tc）(1)
85A（Tc）(1)
27A（Ta）(1)
23A（Ta）. 100A（Tc）(1)
55.5A（Tc）(2)
211A (Tc)(1)
34.2A（Tc）(1)
13A（Ta），100A（Tc）(1)
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4200pF @ 100V(7)
3700pF @ 25V(2)
3080pF @ 25V(14)
6250pF @ 25V(1)
11000pF @ 30V(4)
4340pF @ 25V(1)
2700pF @ 25V(2)
7930pF @ 50V(2)
4600pF @ 25V(4)
6500pF @ 25V(1)
2590pF @ 25V(1)
3800pF @ 15V(1)
5440pF @ 25V(5)
2700pF @ 100V(1)
2730pF @ 25V(4)
7600pF @ 15V(1)
8000pF @ 30V(1)
3680pF @ 25V(2)
3174pF @ 25V(2)
3830pF @ 25V(1)
1749pF @ 100V(1)
1938pF @ 100V(2)
7120pF @ 20V(1)
4735pF @ 25V(2)
4290pF @ 25V(1)
重新选择
-(64)
重新选择
-(1)
4V @ 250μA(8)
2V @ 250μA(1)
5V @ 250μA(29)
3V @ 250μA(1)
2.2V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(2)
3.4V @ 250μA(2)
5V @ 4mA(4)
4V @ 90μA(5)
4V @ 150μA(2)
5.5V @ 4mA(2)
2.4V @ 50μA(1)
6.5V @ 4mA(2)
3.9V @ 100μA(2)
2.1V @ 90μA(1)
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60W（Tc）(1)
312W（Tc）(2)
190W（Tc）(1)
330W（Tc）(4)
250W（Tc）(9)
40W（Tc）(1)
2.5W（Ta）(2)
208W（Tc）(11)
156W（Tc）(1)
300W（Tc）(2)
200W（Tc）(1)
78W（Tc）(1)
830W（Tc）(2)
39W（Tc）(4)
2.5W（Ta），83W（Tc）(1)
136W（Tc）(1)
139W（Tc）(1)
3.75W（Ta），155W（Tc）(2)
188W（Tc）(6)
658W（Tc）(4)
3.6W（Ta），156W（Tc）(1)
4.3W（Ta），94W（Tc）(1)
155W（Tc）(2)
860W（Tc）(2)
3.6W（Ta），250W（Tc）(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP20N60
仓库库存编号：
FCP20N60-ND
别名：FCP20N60_NL
FCP20N60_NL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP57N65M5
仓库库存编号：
497-13113-5-ND
别名：497-13113-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW57N65M5
仓库库存编号：
497-13125-5-ND
别名：497-13125-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 300W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19535KTTT
仓库库存编号：
296-41135-1-ND
别名：296-41135-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4227PBF
仓库库存编号：
IRFB4227PBF-ND
别名：SP001565892
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60FTM
仓库库存编号：
FCB20N60FTMCT-ND
别名：FCB20N60FTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9321TRPBF
仓库库存编号：
IRF9321TRPBFCT-ND
别名：IRF9321TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FCB20N60TM
仓库库存编号：
FCB20N60TMCT-ND
别名：FCB20N60TM_NLCT
FCB20N60TM_NLCT-ND
FCB20N60TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-268
型号：
IXFT44N50P
仓库库存编号：
IXFT44N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK44N50P
仓库库存编号：
IXFK44N50P-ND
别名：612450
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP040N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP040N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
型号：
STI57N65M5
仓库库存编号：
497-13107-5-ND
别名：497-13107-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STWA57N65M5
仓库库存编号：
497-13604-5-ND
别名：497-13604-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB55N10TM
仓库库存编号：
FQB55N10TMCT-ND
别名：FQB55N10TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA20N60F
仓库库存编号：
FCA20N60F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta）. 100A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC025N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC025N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC025N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC025N03MSGINCT
BSC025N03MSGINCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 188W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD038N06N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD038N06N3GATMA1CT-ND
别名：IPD038N06N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN030-150B,118
仓库库存编号：
1727-4772-1-ND
别名：1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 95A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 4.3W（Ta），94W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN8403TR
仓库库存编号：
AUIRFN8403CT-ND
别名：AUIRFN8403CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 62A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4227TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4227TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4227TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH44N50P
仓库库存编号：
IXFH44N50P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 155W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP55N10
仓库库存编号：
FQP55N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 65A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 330W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4227PBF
仓库库存编号：
IRFP4227PBF-ND
别名：SP001560510
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF57N65M5
仓库库存编号：
497-13103-5-ND
别名：497-13103-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET NCH 850V 40A TO268HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 860W（Tc） TO-268
型号：
IXFT40N85XHV
仓库库存编号：
IXFT40N85XHV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 98nC @ 10V,
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