产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 70W(Tc) PowerFLAT?(5x5)
型号:
STL11N65M5
仓库库存编号:
497-15261-1-ND
别名:497-15261-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3404A
仓库库存编号:
785-1004-1-ND
别名:785-1004-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
STD5NK40ZT4
仓库库存编号:
497-2477-1-ND
别名:497-2477-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.4A(Tc) 5.7W(Ta),31.25W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD23N06-31-GE3
仓库库存编号:
SUD23N06-31-GE3CT-ND
别名:SUD23N06-31-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD46N6F7
仓库库存编号:
497-16476-1-ND
别名:497-16476-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 760mW(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2337DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2337DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2337DS-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7810DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7810DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7810DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 3.9W(Ta),48W(Tc) TO-252-3
型号:
MTD3055V
仓库库存编号:
MTD3055VCT-ND
别名:MTD3055VCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF7N105K5
仓库库存编号:
497-15271-5-ND
别名:497-15271-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 1.42W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4466SSS-13
仓库库存编号:
DMG4466SSS-13DICT-ND
别名:DMG4466SSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6016LSS-13
仓库库存编号:
DMT6016LSS-13DICT-ND
别名:DMT6016LSS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta) 1.23W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT6016LPS-13
仓库库存编号:
DMT6016LPS-13DICT-ND
别名:DMT6016LPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC653N
仓库库存编号:
FDC653NCT-ND
别名:FDC653NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP295H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP295H6327XTSA1CT-ND
别名:BSP295H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA86551L
仓库库存编号:
FDMA86551LCT-ND
别名:FDMA86551LCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 760mW(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2337DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2337DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2337DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD23N06-31L-E3
仓库库存编号:
SUD23N06-31L-E3CT-ND
别名:SUD23N06-31L-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta) 2.1W(Ta) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDM3622
仓库库存编号:
FDM3622CT-ND
别名:FDM3622CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF710PBF
仓库库存编号:
IRF710PBF-ND
别名:*IRF710PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),38W(Tc) I-Pak
型号:
FQU11P06TU
仓库库存编号:
FQU11P06TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ20PBF
仓库库存编号:
IRFZ20PBF-ND
别名:*IRFZ20PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 57.7A(Tc) 480.8W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R074C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R074C6XKSA1-ND
别名:SP000898650
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA418DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA418DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA418DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ105N04NS G
仓库库存编号:
BSZ105N04NSGINCT-ND
别名:BSZ105N04NSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),78A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0904NSI
仓库库存编号:
BSC0904NSICT-ND
别名:BSC0904NSICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V,
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