产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4615TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4615PBF
仓库库存编号:
IRFU4615PBF-ND
别名:SP001571872
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0902NS
仓库库存编号:
BSZ0902NSCT-ND
别名:BSZ0902NSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4615PBF
仓库库存编号:
IRFB4615PBF-ND
别名:SP001565882
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta),33W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8329TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名:IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 26A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta), 43W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSC0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288142
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta), 43W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号:
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名:SP001288154
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4615TRL
仓库库存编号:
AUIRFR4615TRL-ND
别名:SP001518604
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N80C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N80C3BTMA1CT-ND
别名:SPD04N80C3INCT
SPD04N80C3INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4615
仓库库存编号:
AUIRFR4615-ND
别名:SP001522920
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 26nC @ 10V,
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