产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC50N04S55R8ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S55R8ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC117N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC117N08NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
LOW POWER_NEW
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7XKSA1-ND
别名:SP001658302
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R280P7XKSA1-ND
别名:SP001647026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD25N06S240ATMA2
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA2-ND
别名:SP001063628
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta) 2.8W(Ta),34W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8228TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8228TRPBFTR-ND
别名:IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) P-TO252-3
型号:
SPD25N06S2-40
仓库库存编号:
SPD25N06S2-40-ND
别名:SP000013572
SPD25N06S240T
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号:
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名:IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP080N03L G
仓库库存编号:
IPP080N03L G-ND
别名:SP000264166
SP000680836
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名:IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU075N03L G
仓库库存编号:
IPU075N03L G-ND
别名:SP000271467
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),53A(Tc) 2.2W(Ta),36W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF083N03LQ G
仓库库存编号:
BSF083N03LQ G-ND
别名:SP000597834
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18nC @ 10V,
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