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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF04T4
  仓库库存编号：497-3513-1-ND
  别名：497-3513-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP460PBF
  仓库库存编号：IRFP460PBF-ND
  别名：*IRFP460PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP200NF04
  仓库库存编号：497-3524-5-ND
  别名：497-3524-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB047N10
  仓库库存编号：FDB047N10CT-ND
  别名：FDB047N10CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB020N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB020N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB020N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 172A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 172A（Tc） 230W（Tc） TO-247
  
  型号：IRFP7537PBF
  仓库库存编号：IRFP7537PBF-ND
  别名：SP001564970
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB017N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB017N10N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB017N10N5ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4110PBF
  仓库库存编号：IRFP4110PBF-ND
  别名：AUXUSFP4110
  AUXUSFP4110-ND
  SP001556724
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP264PBF
  仓库库存编号：IRFP264PBF-ND
  别名：*IRFP264PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4110PBF
  仓库库存编号：IRFB4110PBF-ND
  别名：64-0076PBF
  64-0076PBF-ND
  SP001570598
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC60PBF
  仓库库存编号：IRFPC60PBF-ND
  别名：*IRFPC60PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP31N50LPBF-ND
  别名：*IRFP31N50LPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4110GPBF
  仓库库存编号：IRFB4110GPBF-ND
  别名：SP001556050
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60F_F085
  仓库库存编号：FCH072N60F_F085-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB7537PBF
  仓库库存编号：IRFB7537PBF-ND
  别名：64-0102PBF
  64-0102PBF-ND
  SP001570828
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 173A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：IRFS7537TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS7537TRLPBFCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S302AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S302AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S3-02
  IPP120N04S3-02-ND
  IPP120N04S302
  SP000261228
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP360PBF
  仓库库存编号：IRFP360PBF-ND
  别名：*IRFP360PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP023N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001120504
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 19A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），92A（Tc） 1.9W（Ta），46.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF260L
  仓库库存编号：AOTF260L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP047N10
  仓库库存编号：FDP047N10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH75N15
  仓库库存编号：IXTH75N15-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPC60
  仓库库存编号：IRFPC60-ND
  别名：*IRFPC60
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） TO-264
  
  型号：IXFK90N60X
  仓库库存编号：IXFK90N60X-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 90A（Tc） 1100W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX90N60X
  仓库库存编号：IXFX90N60X-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 210nC @ 10V,
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