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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK100Z
  仓库库存编号：497-4382-5-ND
  别名：497-4382-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5NK100Z
  仓库库存编号：497-4344-5-ND
  别名：497-4344-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD50P04P4L11ATMA1
  仓库库存编号：IPD50P04P4L11ATMA1CT-ND
  别名：IPD50P04P4L-11CT
  IPD50P04P4L-11CT-ND
  IPD50P04P4L11ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 70A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8445
  仓库库存编号：FDD8445CT-ND
  别名：FDD8445CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC010NE2LSI
  仓库库存编号：BSC010NE2LSICT-ND
  别名：BSC010NE2LSICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12NK60Z
  仓库库存编号：497-4808-5-ND
  别名：497-4808-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7406TRPBF
  仓库库存编号：IRF7406PBFCT-ND
  别名：*IRF7406TRPBF
  IRF7406PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 116A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW4R008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPW4R008NHL1QCT-ND
  别名：TPW4R008NHL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），50A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8316TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8316TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8316TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 68A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN013-100BS,118
  仓库库存编号：1727-7104-1-ND
  别名：1727-7104-1
  568-9474-1
  568-9474-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 68A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN013-100PS,127
  仓库库存编号：1727-4287-ND
  别名：1727-4287
  568-4976-5
  568-4976-5-ND
  934064291127
  PSMN013100PS127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3W（Ta），25W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E200BNTB
  仓库库存编号：RS1E200BNTBCT-ND
  别名：RS1E200BNTBCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
  
  型号：AUIRFR540Z
  仓库库存编号：AUIRFR540Z-ND
  别名：SP001521742
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1.6W（Ta），78W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH4R008NH,L1Q
  仓库库存编号：TPH4R008NHL1QCT-ND
  别名：TPH4R008NHL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7458TRPBF
  仓库库存编号：IRF7458PBFCT-ND
  别名：*IRF7458TRPBF
  IRF7458PBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW5NK100Z
  仓库库存编号：497-7623-5-ND
  别名：497-7623-5
  STW5NK100Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 170W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN013-100ES,127
  仓库库存编号：1727-5891-ND
  别名：1727-5891
  568-7510-5
  568-7510-5-ND
  934064293127
  PSMN013-100ES,127-ND
  PSMN013100ES127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.9A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86163P
  仓库库存编号：FDMS86163PCT-ND
  别名：FDMS86163PCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7617DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7617DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7617DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），83A（Tc） 3.4W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8321TRPBF
  仓库库存编号：IRFH8321TRPBFCT-ND
  别名：IRFH8321TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），124A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86181
  仓库库存编号：FDMS86181CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RJK1003DPN-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPN-E0#T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 50A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK1003DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK1003DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60L
  仓库库存编号：AOK53S60L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK53S60
  仓库库存编号：AOK53S60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 59nC @ 10V,
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