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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB270N4F3
  仓库库存编号：497-7944-1-ND
  别名：497-7944-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50P04-09L-E3
  仓库库存编号：SUD50P04-09L-E3CT-ND
  别名：SUD50P04-09L-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34mA（Ta） 1.39W（Ta） SOT-23
  
  型号：AO3162
  仓库库存编号：785-1458-1-ND
  别名：785-1458-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC016N04LS G
  仓库库存编号：BSC016N04LS GCT-ND
  别名：BSC016N04LS GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR494DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR494DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR494DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD50P06-15L_GE3
  仓库库存编号：SQD50P06-15L_GE3CT-ND
  别名：SQD50P06-15L_GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF1404ZPBF
  仓库库存编号：IRF1404ZPBF-ND
  别名：*IRF1404ZPBF
  IRF1404Z-010PBF
  IRF1404Z-010PBF-ND
  SP001574476
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 72A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4127TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS4127TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS4127TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP350PBF
  仓库库存编号：IRFP350PBF-ND
  别名：*IRFP350PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450PBF
  仓库库存编号：IRFP450PBF-ND
  别名：*IRFP450PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4332PBF
  仓库库存编号：IRFB4332PBF-ND
  别名：SP001556040
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60E-GE3-ND
  别名：SIHB33N60EGE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH52N30Q
  仓库库存编号：IXFH52N30Q-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 61A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN64N50P
  仓库库存编号：IXFN64N50P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1404ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1404ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1404ZSTRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7868ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7868ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7868ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 76A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4127PBF
  仓库库存编号：IRFB4127PBF-ND
  别名：SP001560212
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 57A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 360W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4332PBF
  仓库库存编号：IRFP4332PBF-ND
  别名：SP001578038
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP23N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP23N50LPBF-ND
  别名：*IRFP23N50LPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT17F100B
  仓库库存编号：APT17F100B-ND
  别名：APT17F100BMI
  APT17F100BMI-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 200W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N8F6
  仓库库存编号：497-16019-5-ND
  别名：497-16019-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-GE3-ND
  别名：SIHG33N60E-GE3CT
  SIHG33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60KPBF
  仓库库存编号：IRFP22N60KPBF-ND
  别名：*IRFP22N60KPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 120W（Tc） TO-247
  
  型号：R6046FNZ1C9
  仓库库存编号：R6046FNZ1C9-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6046FNZC8
  仓库库存编号：R6046FNZC8-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V,
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