产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies (62)
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC109N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9Z34NSTRLPBFCT
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 19A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z34NPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34NPBF-ND
别名:*IRF9Z34NPBF
SP001560182
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ050N03LSGINCT
BSZ050N03LSGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) D2PAK
型号:
IRF630NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF630NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF630NSTRLPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.3A(Tc) 82W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF630NPBF
仓库库存编号:
IRF630NPBF-ND
别名:*IRF630NPBF
SP001564792
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R250CPXKSA1-ND
别名:IPP60R250CP
IPP60R250CPAKSA1
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPIN-ND
IPP60R250CPXK
SP000358136
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080132
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名:IRFL4105TRPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A
详细描述:表面贴装 N 沟道 73A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD096N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD096N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD096N08N3GATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),63W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ150N10LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ150N10LS3GATMA1CT-ND
别名:BSZ150N10LS3GATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),45A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB165N15NZ3 G
仓库库存编号:
BSB165N15NZ3 GCT-ND
别名:BSB165N15NZ3 GCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 102W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R130C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R130C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R130C7AUMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP126N10N3 G
IPP126N10N3 G-ND
SP000683088
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP100N08N3 G
IPP100N08N3 G-ND
IPP100N08N3G
SP000680856
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N15NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC110N15NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50N04S3-08
仓库库存编号:
IPD50N04S308ATMA1CT-ND
别名:IPD50N04S3-08CT
IPD50N04S3-08CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
IPA126N10N3 G
IPA126N10N3 G-ND
IPA126N10N3G
IPA26N10N3GXKSA1-ND
SP000485964
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 40A(Tc) 35W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 33W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R250CPXKSA1-ND
别名:IPA60R250CP
IPA60R250CP-ND
SP000310226
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 18A(Ta) 101W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R125C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R125C7ATMA1-ND
别名:SP001080134
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 35nC @ 10V,
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