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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW26NM50
  仓库库存编号：497-3264-5-ND
  别名：497-3264-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 300V 60A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 658W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK60N30L
  仓库库存编号：785-1449-5-ND
  别名：785-1449-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP15NK50ZFP
  仓库库存编号：497-12055-5-ND
  别名：497-12055-5
  STP15NK50ZFP-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP15NK50Z
  仓库库存编号：497-12609-5-ND
  别名：497-12609-5
  STP15NK50Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NK50Z
  仓库库存编号：497-3260-5-ND
  别名：497-3260-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA21N65EF-E3
  仓库库存编号：SIHA21N65EF-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta），180A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB014N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB014N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB014N06N-ND
  IPB014N06NATMA1CT
  IPB014N06NCT
  IPB014N06NCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150HV
  仓库库存编号：IXTT12N150HV-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP020N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP020N06NAKSA1-ND
  别名：IPP020N06N
  IPP020N06N-ND
  SP000917406
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI020N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI020N06NAKSA1-ND
  别名：IPI020N06N
  IPI020N06N-ND
  SP000962132
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH12N150
  仓库库存编号：IXTH12N150-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N150
  仓库库存编号：IXTT12N150-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 14A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15NK50ZT4
  仓库库存编号：STB15NK50ZT4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1400V 12A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1400V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT12N140
  仓库库存编号：IXTT12N140-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 106nC @ 10V,
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