产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD600N25N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD600N25N3GATMA1CT-ND
别名:IPD600N25N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GATMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号:
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名:BSC320N20NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB320N20N3 G
仓库库存编号:
IPB320N20N3 GCT-ND
别名:IPB320N20N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4020PBF
仓库库存编号:
IRFB4020PBF-ND
别名:SP001564028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3303PBFCT-ND
别名:*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DPBF-ND
别名:SP001556864
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP600N25N3 G
仓库库存编号:
IPP600N25N3 G-ND
别名:IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP320N20N3 G
仓库库存编号:
IPP320N20N3 G-ND
别名:IPP320N20N3G
IPP320N20N3GXKSA1
SP000677842
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R299CPXKSA1-ND
别名:IPP60R299CP
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
IPP60R299CPX
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPXTIN-ND
SP000084280
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R299CP
仓库库存编号:
IPW60R299CP-ND
别名:IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL307SPH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL307SPH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL307SPH6327XTSA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC072N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC072N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC072N08NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB600N25N3 G
仓库库存编号:
IPB600N25N3 GCT-ND
别名:IPB600N25N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 14A(Tc) 86W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N15DTRPBF
仓库库存编号:
IRFR13N15DTRPBF-ND
别名:SP001571424
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R299CP
仓库库存编号:
IPB60R299CPCT-ND
别名:IPB60R299CPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R299CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R299CPAATMA1-ND
别名:SP000539970
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 250V 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名:IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R299CPXKSA1-ND
别名:IPA60R299CP
IPA60R299CP-ND
SP000096438
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名:IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 34A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD320N20N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
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MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Tc) 57W(Tc) D-Pak
型号:
94-4737
仓库库存编号:
94-4737-ND
别名:*IRFR3303
IRFR3303
IRFR3303-ND
SP001517800
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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