产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB43N65M5
仓库库存编号:
497-16299-1-ND
别名:497-16299-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB42N65M5
仓库库存编号:
497-8769-1-ND
别名:497-8769-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4425BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4425BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4425BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 121W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R3-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4276-1-ND
别名:1727-4276-1
568-4908-1
568-4908-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 5.4W(Ta),96W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7148DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7148DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7148DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 100A 8QFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 830mW(Ta),104.2W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS037N08B
仓库库存编号:
FDMS037N08BCT-ND
别名:FDMS037N08BCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM60N10-17-E3
仓库库存编号:
SUM60N10-17-E3CT-ND
别名:SUM60N10-17-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 130A(Tc) 333W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB075N15A
仓库库存编号:
FDB075N15ACT-ND
别名:FDB075N15ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 480W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA69N25
仓库库存编号:
FDA69N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 74A(Tc) 83W(Tc)
型号:
SQJ422EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ422EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ422EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3710ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR3710ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR3710ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 500W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA59N30
仓库库存编号:
FDA59N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Tc) 3W(Ta),6.25W(Tc) 8-SO
型号:
SI4842BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4842BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4842BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 53.5A(Tc) 391W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R070P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R070P6XKSA1-ND
别名:SP001114660
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB
型号:
STP185N55F3
仓库库存编号:
497-7513-5-ND
别名:497-7513-5
STP185N55F3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP42N65M5
仓库库存编号:
497-8791-5-ND
别名:497-8791-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Ta) 2W(Ta),178W(Tj) D2PAK
型号:
NTB35N15T4G
仓库库存编号:
NTB35N15T4GOSCT-ND
别名:NTB35N15T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 237W(Tc) TO-220
型号:
STP220N6F7
仓库库存编号:
497-16120-5-ND
别名:497-16120-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 330W(Tc) D2PAK
型号:
STB180N55F3
仓库库存编号:
497-7939-1-ND
别名:497-7939-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 300W(Tc) 10-PowerSO
型号:
STV200N55F3
仓库库存编号:
497-7028-1-ND
别名:497-7028-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF42N65M5
仓库库存编号:
497-8895-5-ND
别名:497-8895-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),101A(Tc) 2.5W(Ta),93.75W(Tc) DPAK
型号:
NTD5802NT4G
仓库库存编号:
NTD5802NT4GOSCT-ND
别名:NTD5802NT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4260
仓库库存编号:
785-1463-1-ND
别名:785-1463-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 100nC @ 10V,
无铅
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