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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N50LPBF
  仓库库存编号：IRFPS40N50LPBF-ND
  别名：*IRFPS40N50LPBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 77A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH041N60E
  仓库库存编号：FCH041N60E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK90N20
  仓库库存编号：IXFK90N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 36A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN36N100
  仓库库存编号：IXFN36N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW70N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW70N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG70N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG70N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 106A（Tc） 521W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN106N20
  仓库库存编号：IXFN106N20-ND
  别名：460915
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 66A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N50
  仓库库存编号：IXFN80N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 44A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN44N80
  仓库库存编号：IXFN44N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 60A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 60A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN60N60
  仓库库存编号：IXFN60N60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 200V 68A TO-247
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH68P20T
  仓库库存编号：IXTH68P20T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 200V 68A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 68A（Tc） 568W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT68P20T
  仓库库存编号：IXTT68P20T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN100N20
  仓库库存编号：IXFN100N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 60A（Tc） 700W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL60N60
  仓库库存编号：IXFL60N60-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 30A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL34N100
  仓库库存编号：IXFL34N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 44A（Tc） 550W（Tc） ISOPLUS264?
  
  型号：IXFL44N80
  仓库库存编号：IXFL44N80-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 158A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE180N20
  仓库库存编号：IXFE180N20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFE80N50
  仓库库存编号：IXFE80N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 480V 80A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN80N48
  仓库库存编号：IXFN80N48-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN130N30
  仓库库存编号：IXFN130N30-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 34A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN34N100
  仓库库存编号：IXFN34N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 240A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB240N03S4LR8ATMA1
  仓库库存编号：IPB240N03S4LR8ATMA1-ND
  别名：SP000952928
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227B
  
  型号：FB180SA10
  仓库库存编号：FB180SA10-ND
  别名：*FB180SA10
  VS-FB180SA10
  VS-FB180SA10-ND
  VSFB180SA10
  VSFB180SA10-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 46A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS40N50L
  仓库库存编号：IRFPS40N50L-ND
  别名：*IRFPS40N50L
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 1.8W（Ta），288W（Tc） TO-263
  
  型号：NP110N03PUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP110N03PUG-E1-AY-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 380nC @ 10V,
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