产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），189W（Tc） PowerFLAT?（8x8）
型号：
STL57N65M5
仓库库存编号：
497-13520-1-ND
别名：497-13520-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS413DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS413DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS413DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN0R9-25YLC,115
仓库库存编号：
1727-5292-1-ND
别名：1727-5292-1
568-6720-1
568-6720-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS8460
仓库库存编号：
FDMS8460CT-ND
别名：FDMS8460CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB47P06TM_AM002
仓库库存编号：
FQB47P06TM_AM002CT-ND
别名：FQB47P06TM_AM002CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP47P06
仓库库存编号：
FQP47P06-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF47P06
仓库库存编号：
FQPF47P06FS-ND
别名：FQPF47P06-ND
FQPF47P06FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）
型号：
SI8425DB-T1-E1
仓库库存编号：
SI8425DB-T1-E1CT-ND
别名：SI8425DB-T1-E1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR2405TRPBF
仓库库存编号：
IRFR2405PBFCT-ND
别名：*IRFR2405TRPBF
IRFR2405PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 23A（Tc） 3.1W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF9540NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF9540NSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 33.5A（Tc） 3.75W（Ta），155W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB34P10TM
仓库库存编号：
FQB34P10TMCT-ND
别名：FQB34P10TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
IRF6218STRLPBF
仓库库存编号：
IRF6218STRLPBFCT-ND
别名：IRF6218STRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP32N20C
仓库库存编号：
FQP32N20CFS-ND
别名：FQP32N20C-ND
FQP32N20CFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 45.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 45.6A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP46N15
仓库库存编号：
FQP46N15-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3632
仓库库存编号：
FDP3632-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 46W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4321PBF
仓库库存编号：
IRFI4321PBF-ND
别名：SP001556676
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM85N15-19-E3
仓库库存编号：
SUM85N15-19-E3CT-ND
别名：SUM85N15-19-E3-ND
SUM85N15-19-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4321PBF
仓库库存编号：
IRFP4321PBF-ND
别名：SP001575756
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 280W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB20N50KPBF
仓库库存编号：
IRFB20N50KPBF-ND
别名：*IRFB20N50KPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 2.4W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N15-21-E3
仓库库存编号：
SUP85N15-21-E3-ND
别名：SUP85N15-21-E3CT
SUP85N15-21-E3CT-ND
SUP85N1521E3
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
型号：
FDH3632
仓库库存编号：
FDH3632FS-ND
别名：FDH3632-ND
FDH3632FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4136DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4136DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4136DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3205ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3205ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF3205ZSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1310NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF1310NSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 170W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3205ZPBF
仓库库存编号：
IRF3205ZPBF-ND
别名：*IRF3205ZPBF
64-0096PBF
64-0096PBF-ND
SP001574672
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 110nC @ 10V,
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