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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 69A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW77N65M5
  仓库库存编号：497-10589-5-ND
  别名：497-10589-5
  STW77N65M5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH40N30
  仓库库存编号：IXFH40N30-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX64N60P
  仓库库存编号：IXFX64N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 960W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK5N250
  仓库库存编号：IXTK5N250-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 170A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF2204SPBF
  仓库库存编号：IRF2204SPBF-ND
  别名：*IRF2204SPBF
  SP001563220
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE50PBF
  仓库库存编号：IRFPE50PBF-ND
  别名：*IRFPE50PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 50V 140A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 140A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP140P05T
  仓库库存编号：IXTP140P05T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3415STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3415STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3415STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3415PBF
  仓库库存编号：IRF3415PBF-ND
  别名：*IRF3415PBF
  64-0006PBF
  64-0006PBF-ND
  SP001564438
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N10S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N10S402ATMA1CT-ND
  别名：IPB180N10S402ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF1404LPBF
  仓库库存编号：IRF1404LPBF-ND
  别名：*IRF1404LPBF
  SP001576598
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805S-7PPBF
  仓库库存编号：IRF3805S-7PPBF-ND
  别名：64-2095PBF
  64-2095PBF-ND
  IRF3805S7PPBF
  SP001553992
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 6.7A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPF50PBF
  仓库库存编号：IRFPF50PBF-ND
  别名：*IRFPF50PBF
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60C3
  仓库库存编号：SPW35N60C3IN-ND
  别名：SP000014970
  SPW35N60C3-ND
  SPW35N60C3FKSA1
  SPW35N60C3IN
  SPW35N60C3X
  SPW35N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 210A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 210A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF2204PBF
  仓库库存编号：IRF2204PBF-ND
  别名：*IRF2204PBF
  SP001576552
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRF3805STRL-7PP
  仓库库存编号：IRF3805STRL-7PPCT-ND
  别名：IRF3805STRL-7PPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 200W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP3415PBF
  仓库库存编号：IRFP3415PBF-ND
  别名：*IRFP3415PBF
  SP001566972
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Ta）, 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA20DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIRA20DP-T1-RE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 3.8W（Ta）, 214W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0250N807L
  仓库库存编号：FDB0250N807LCT-ND
  别名：FDB0250N807LCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA65N20
  仓库库存编号：FQA65N20FS-ND
  别名：FQA65N20-ND
  FQA65N20FS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
  
  型号：FQL40N50
  仓库库存编号：FQL40N50-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
  
  型号：FQL40N50F
  仓库库存编号：FQL40N50F-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1404STRLPBF
  仓库库存编号：IRF1404STRLPBFCT-ND
  别名：IRF1404STRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
  
  型号：IRF60DM206
  仓库库存编号：IRF60DM206CT-ND
  别名：IRF60DM206CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK64N60P
  仓库库存编号：IXFK64N60P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 200nC @ 10V,
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