产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK140N30P
仓库库存编号：
IXFK140N30P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A PLUS 247
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX140N30P
仓库库存编号：
IXFX140N30P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR140N30P
仓库库存编号：
IXFR140N30P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 35W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E350BNTB
仓库库存编号：
RS1E350BNTBCT-ND
别名：RS1E350BNTBCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 217A（Tc） 96W（Tc） DirectFET? Isometric ME
型号：
IRF7480MTRPBF
仓库库存编号：
IRF7480MTRPBFCT-ND
别名：IRF7480MTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_100+
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB100N12S305ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N12S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N12S305ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 110A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN140N30P
仓库库存编号：
IXFN140N30P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 700W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK120N25P
仓库库存编号：
IXTK120N25P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263-7
型号：
SQM50028EM_GE3
仓库库存编号：
SQM50028EM_GE3CT-ND
别名：SQM50028EM_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443_F085
仓库库存编号：
FDB8443_F085CT-ND
别名：FDB8443_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP8443_F085
仓库库存编号：
FDP8443_F085-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），120A（Tc） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8443
仓库库存编号：
FDB8443CT-ND
别名：FDB8443CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 37A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N80Q3
仓库库存编号：
IXFN44N80Q3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N10-10_GE3
仓库库存编号：
SQM100N10-10_GE3-ND
别名：SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA180N10T2
仓库库存编号：
IXFA180N10T2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP180N10T2
仓库库存编号：
IXFP180N10T2-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP120P065T
仓库库存编号：
IXTP120P065T-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA120P065T
仓库库存编号：
IXTA120P065T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 298W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH120P065T
仓库库存编号：
IXTH120P065T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32P20T
仓库库存编号：
IXTP32P20T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32P20T
仓库库存编号：
IXTA32P20T-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32P20T
仓库库存编号：
IXTH32P20T-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ100N25P
仓库库存编号：
IXTQ100N25P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-247AD
型号：
IXFH100N25P
仓库库存编号：
IXFH100N25P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 185nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 250V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK100N25P
仓库库存编号：
IXTK100N25P-ND
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