产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N65X2
仓库库存编号:
IXFX120N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
型号:
SI7655ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7655ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7655ADN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK26N120P
仓库库存编号:
IXFK26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7437PBF
仓库库存编号:
IRFB7437PBF-ND
别名:SP001556080
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 379W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG47N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG47N60EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212
详细描述:表面贴装 P 沟道 40A(Tc) 4.8W(Ta),57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7655DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7655DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7655DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A AUTO
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 231W(Tc) D2PAK-7
型号:
AUIRFS8407-7P
仓库库存编号:
AUIRFS8407-7P-ND
别名:SP001518052
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 231W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS7437TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS7437TRL7PPCT-ND
别名:IRFS7437TRL7PPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 32A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX32N100P
仓库库存编号:
IXFX32N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 370W(Tc) D3 [S]
型号:
APT20M38SVRG
仓库库存编号:
APT20M38SVRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 1250W(Tc) TO-264
型号:
IXFK120N65X2
仓库库存编号:
IXFK120N65X2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 108A(Tc) 890W(Tc) SOT-227
型号:
IXFN120N65X2
仓库库存编号:
IXFN120N65X2-ND
别名:632519
IXFN120N65X2X
IXFN120N65X2X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7437PBF
仓库库存编号:
IRFSL7437PBF-ND
别名:SP001578458
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS7437TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7437TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7437TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名:IPB180N04S4H0ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVRG
仓库库存编号:
APT30M70BVRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8407
仓库库存编号:
AUIRFS8407-ND
别名:IRAUIRFS8407
IRAUIRFS8407-ND
SP001520236
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 379W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW47N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHW47N60EF-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) D3Pak
型号:
APT20M38SVRG/TR
仓库库存编号:
APT20M38SVRG/TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 67A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT20M38BVRG
仓库库存编号:
APT20M38BVRG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVFRG
仓库库存编号:
APT30M70BVFRG-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK32N100P
仓库库存编号:
IXFK32N100P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 18A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR32N100P
仓库库存编号:
IXFR32N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 26A(Tc) 960W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX26N120P
仓库库存编号:
IXFX26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 15A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR26N120P
仓库库存编号:
IXFR26N120P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 225nC @ 10V,
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