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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 200A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN200N07
  仓库库存编号：IXFN200N07-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 500W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK110N07
  仓库库存编号：IXFK110N07-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• IXYS
  40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-
  详细描述：表面贴装 N 沟道 440A（Tc） 940W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT440N04T4HV
  仓库库存编号：IXTT440N04T4HV-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 70V 180A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N07
  仓库库存编号：IXFN180N07-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB100N06S3-03
  仓库库存编号：IPB100N06S3-03-ND
  别名：IPB100N06S303XT
  SP000087982
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N06S3-03
  仓库库存编号：IPI100N06S3-03-ND
  别名：IPI100N06S303X
  IPI100N06S303XK
  SP000087992
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N06S3-03
  仓库库存编号：IPP100N06S3-03-ND
  别名：IPP100N06S303X
  IPP100N06S303XK
  SP000087980
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 480nC @ 10V,
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