产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
SC-70，SOT-323(2)
3-XFDFN(1)
SC-75，SOT-416(1)
SC-101，SOT-883(1)
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Diodes Incorporated(1)
Panasonic Electronic Components(1)
On Semiconductor(1)
Nexperia USA Inc.(4)
NXP USA Inc.(1)
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表面贴装(8)
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-55°C ~ 150°C（TA）(2)
-55°C ~ 150°C（TJ）(5)
150°C（TJ）(1)
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-(6)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(2)
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剪切带（CT） (8)
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在售(6)
上次购买时间(1)
过期(1)
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SOT-23-3（TO-236）(1)
TO-236AB（SOT23）(2)
SOT-323-3(2)
X2-DFN0806-3(1)
SC-75(1)
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(8)
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±20V(6)
±8V(2)
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0.8nC @ 4.5V(8)
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1.6 欧姆 @ 500mA，10V(3)
1.6 欧姆 @ 300mA，10V(2)
1 欧姆 @ 200mA，4.5V(1)
3 欧姆 @ 100mA、 10V(1)
700 毫欧 @ 200mA，4.5V(1)
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10V(4)
5V，10V(1)
4.5V，10V(1)
1.5V，4.5V(2)
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N 沟道(7)
P 沟道(1)
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360mA（Ta）(2)
310mA（Ta）(2)
300mA（Ta）(1)
320mA（Ta）(1)
330mA（Ta）(1)
361mA（Ta）(1)
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50pF @ 10V(5)
40pF @ 10V(1)
24pF @ 10V(1)
49pF @ 15V(1)
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-(8)
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1V @ 250μA(2)
2.4V @ 250μA(3)
1.5V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(1)
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350mW（Ta）(2)
360mW（Ta）(1)
260mW（Ta），830mW（Tc）(1)
250mW（Ta）(1)
350mW（Ta），1.14W（Tc）(1)
260mW（Ta）(1)
155mW（Ta）(1)
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20V(2)
60V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
2N7002P,215
仓库库存编号：
1727-4692-1-ND
别名：1727-4692-1
568-5818-1
568-5818-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323-3
型号：
BSS138PW,115
仓库库存编号：
1727-1143-1-ND
别名：1727-1143-1
568-10309-1
568-10309-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Ta） 350mW（Ta），1.14W（Tc） TO-236AB（SOT23）
型号：
BSS138P,215
仓库库存编号：
1727-1142-1-ND
别名：1727-1142-1
568-10308-1
568-10308-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
型号：
DMP21D2UFA-7B
仓库库存编号：
DMP21D2UFA-7BDICT-ND
别名：DMP21D2UFA-7BDICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
2N7002E
仓库库存编号：
2N7002ECT-ND
别名：2N7002ECT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323
详细描述：表面贴装 N 沟道 310mA（Ta） 260mW（Ta） SOT-323-3
型号：
2N7002PW,115
仓库库存编号：
1727-4793-1-ND
别名：1727-4793-1
568-5987-1
568-5987-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
详细描述：表面贴装 N 沟道 361mA（Ta） 155mW（Ta） SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
型号：
NTNS3164NZT5G
仓库库存编号：
NTNS3164NZT5GOSCT-ND
别名：NTNS3164NZT5GOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 310mA（Ta） 250mW（Ta） SC-75
型号：
2N7002PT,115
仓库库存编号：
568-5985-1-ND
别名：568-5985-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.8nC @ 4.5V,
无铅
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邮箱：
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