产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage (4)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.2A
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
T2N7002AK,LM
仓库库存编号:
T2N7002AKLMCT-ND
别名:T2N7002AKLM(BCT
T2N7002AKLM(BCT-ND
T2N7002AKLMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 370mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002H-7
仓库库存编号:
2N7002H-7DICT-ND
别名:2N7002H-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 390mW(Ta) X2-DFN0606-3
型号:
DMP32D9UFZ-7B
仓库库存编号:
DMP32D9UFZ-7BDICT-ND
别名:DMP32D9UFZ-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
型号:
SSM3K72CTC,L3F
仓库库存编号:
SSM3K72CTCL3FCT-ND
别名:SSM3K72CTCL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K7002CFU,LF
仓库库存编号:
SSM3K7002CFULFCT-ND
别名:SSM3K7002CFULFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mA(Ta) 393mW(Ta) X2-DFN0606-3
型号:
DMN31D5UFZ-7B
仓库库存编号:
DMN31D5UFZ-7BDICT-ND
别名:DMN31D5UFZ-7BDICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG302PU-7
仓库库存编号:
DMG302PU-7DICT-ND
别名:DMG302PU-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.17A
详细描述:表面贴装 N 沟道 170mA(Ta) 150mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K72CFS,LF
仓库库存编号:
SSM3K72CFSLFCT-ND
别名:SSM3K72CFSLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 320mW SOT-523
型号:
DMN31D6UT-13
仓库库存编号:
DMN31D6UT-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT523
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 320mW SOT-523
型号:
DMN31D6UT-7
仓库库存编号:
DMN31D6UT-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V 0.145A SOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 145mA(Ta) 360mW(Ta) X2-DFN0806-3
型号:
DMP213DUFA-7B
仓库库存编号:
DMP213DUFA-7B-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 170mA(Ta) 320mW(Ta) SOT-23
型号:
DMG302PU-13
仓库库存编号:
DMG302PU-13DITR-ND
别名:DMG302PU-13DITR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.35nC @ 4.5V,
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