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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML0060TRPBF
  仓库库存编号：IRLML0060TRPBFCT-ND
  别名：IRLML0060TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML0100TRPBF
  仓库库存编号：IRLML0100TRPBFCT-ND
  别名：IRLML0100TRPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RUF015N02TL
  仓库库存编号：RUF015N02TLCT-ND
  别名：RUF015N02TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 900mW（Ta） TSMT5
  
  型号：QS5U34TR
  仓库库存编号：QS5U34CT-ND
  别名：QS5U34CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 450mA（Ta） 190mW（Ta）
  
  型号：SI1013CX-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1013CX-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1013CX-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 8V 24V U-WLB1010-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.4W U-WLB1010-4
  
  型号：DMP2042UCB4-7
  仓库库存编号：DMP2042UCB4-7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 670mA（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3
  
  型号：SI1303EDL-T1-E3
  仓库库存编号：SI1303EDL-T1-E3CT-ND
  别名：SI1303EDL-T1-E3CT
  SI1303EDLT1E3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25301W1015
  仓库库存编号：296-24259-1-ND
  别名：296-24259-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 4.5V,
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