产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(1)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3(6)
TO-261-4,TO-261AA(1)
SC-96(1)
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Fairchild/ON Semiconductor(2)
Rohm Semiconductor(1)
Infineon Technologies(6)
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表面贴装(9)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(7)
-55°C ~ 175°C(TJ)(1)
150°C(TJ)(1)
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-(2)
PowerTrench?(1)
SIPMOS?(6)
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剪切带(CT) (4)
带卷(TR) (5)
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在售(5)
过期(4)
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8-SO(1)
SOT-223(1)
SuperSOT-3(1)
TSMT3(1)
PG-SOT23-3(5)
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MOSFET(金属氧化物)(9)
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±20V(8)
±25V(1)
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3.5nC @ 5V(9)
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14 欧姆 @ 100mA,10V(1)
14 欧姆 @ 100μA,10V(1)
130 毫欧 @ 1A,10V(1)
160 毫欧 @ 1.4A,10V(1)
520 毫欧 @ 1A,10V(1)
14 欧姆 @ 0.1mA,10V(4)
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4.5V,10V(2)
4V,10V(1)
0V,10V(6)
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N 沟道(8)
P 沟道(1)
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100mA(Ta)(6)
1A(Ta)(1)
1.1A(Ta)(1)
3.4A(Ta)(1)
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140pF @ 25V(1)
76pF @ 25V(6)
140pF @ 10V(1)
205pF @ 15V(1)
重新选择
-(3)
耗尽模式(6)
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2V @ 250μA(1)
2.5V @ 1mA(1)
3V @ 250μA(1)
1V @ 56μA(6)
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360mW(Ta)(6)
500mW(Ta)(1)
540mW(Ta)(1)
2.5W(Ta)(1)
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100V(1)
30V(2)
250V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6327XTSA1CT-ND
别名:BSS139 H6327CT
BSS139 H6327CT-ND
BSS139H6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS351N
仓库库存编号:
NDS351NCT-ND
别名:NDS351NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9400A
仓库库存编号:
FDS9400AFSCT-ND
别名:FDS9400AFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 540mW(Ta) TSMT3
型号:
RSR010N10TL
仓库库存编号:
RSR010N10TLCT-ND
别名:RSR010N10TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-223
型号:
BSS139H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS139H6906XTSA1-ND
别名:SP000702612
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.5nC @ 5V,
无铅
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