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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4
  仓库库存编号：296-38912-2-ND
  别名：296-38912-2
  CSD13381F4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
  
  型号：RZM002P02T2L
  仓库库存编号：RZM002P02T2LCT-ND
  别名：RZM002P02T2LCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2319-1-ND
  别名：1727-2319-1
  568-12605-1
  568-12605-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13381F4T
  仓库库存编号：296-37779-1-ND
  别名：296-37779-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.2A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2328-1-ND
  别名：1727-2328-1
  568-12614-1
  568-12614-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 350mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY100PZ
  仓库库存编号：FDY100PZCT-ND
  别名：FDY100PZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.15A SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY101PZ
  仓库库存编号：FDY101PZCT-ND
  别名：FDY101PZCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）
  
  型号：FDFME3N311ZT
  仓库库存编号：FDFME3N311ZTCT-ND
  别名：FDFME3N311ZTCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V SOT883
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 350mW（Ta）, 6.25W（Tc） DFN1006B-3
  
  型号：PMZB320UPEYL
  仓库库存编号：1727-2329-1-ND
  别名：1727-2329-1
  568-12615-1
  568-12615-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 350mW（Ta），5.43W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ290UNE2YL
  仓库库存编号：1727-2233-1-ND
  别名：1727-2233-1
  568-12503-1
  568-12503-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） UMT3F
  
  型号：RU1C002ZPTCL
  仓库库存编号：RU1C002ZPTCLCT-ND
  别名：RU1C002ZPTCLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  1.2V DRIVE PCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150W（Tc） EMT3F（SOT-416FL）
  
  型号：RE1C002ZPTL
  仓库库存编号：RE1C002ZPTLCT-ND
  别名：RE1C002ZPTLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
  
  型号：RZE002P02TL
  仓库库存编号：RZE002P02TLCT-ND
  别名：RZE002P02TLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 320mA（Tc） 500mW（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ7002K-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ7002K-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 1.4nC @ 4.5V,
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