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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123
  仓库库存编号：BSS123NCT-ND
  别名：BSS123NCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23
  
  型号：NDS0610
  仓库库存编号：NDS0610CT-ND
  别名：NDS0610CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123L
  仓库库存编号：BSS123LCT-ND
  别名：BSS123LCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 180mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23
  
  型号：NDS0605
  仓库库存编号：NDS0605CT-ND
  别名：NDS0605CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119L6433HTMA1
  仓库库存编号：BSS119L6433HTMA1CT-ND
  别名：BSS119 L6433CT
  BSS119 L6433CT-ND
  BSS119L6433
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123_D87Z
  仓库库存编号：BSS123_D87Z-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119E6327
  仓库库存编号：BSS119INCT-ND
  别名：BSS119INCT
  BSS119XTINCT
  BSS119XTINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E6433
  仓库库存编号：BSS119 E6433-ND
  别名：BSS119E6433XT
  SP000011164
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7796
  仓库库存编号：BSS119 E7796-ND
  别名：BSS119E7796T
  SP000011162
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7978
  仓库库存编号：BSS119 E7978-ND
  别名：BSS119E7978XT
  SP000011163
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.5nC @ 10V,
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