产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3421DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3421DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3421DV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1.79W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7726TRPBF
仓库库存编号:
IRF7726TRPBFCT-ND
别名:IRF7726TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号:
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名:IRFR1018ETRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N08N3 G
仓库库存编号:
IPB054N08N3 GCT-ND
别名:IPB054N08N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD053N08N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号:
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名:IPD30N06S2L13ATMA4CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1018EPBF
仓库库存编号:
IRF1018EPBF-ND
别名:SP001574502
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF11N50ZG
仓库库存编号:
NDF11N50ZGOS-ND
别名:NDF11N50ZG-ND
NDF11N50ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 110W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP150N10
仓库库存编号:
FDP150N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP23NM60ND
仓库库存编号:
497-8445-5-ND
别名:497-8445-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) Power56
型号:
FDMS7570S
仓库库存编号:
FDMS7570SCT-ND
别名:FDMS7570SCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 110W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB150N10
仓库库存编号:
FDB150N10CT-ND
别名:FDB150N10CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 77A(Tc) 44.1W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF041N06BL1
仓库库存编号:
FDPF041N06BL1-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042NE7NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GCT-ND
BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK56A12N1,S4X
仓库库存编号:
TK56A12N1S4X-ND
别名:TK56A12N1,S4X(S
TK56A12N1,S4X-ND
TK56A12N1S4X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 39W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
FDI150N10
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FDI150N10-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3651U
仓库库存编号:
FDP3651U-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.7A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4090DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4090DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4090DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 39W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF11N50ZH
仓库库存编号:
NDF11N50ZHOS-ND
别名:NDF11N50ZH-ND
NDF11N50ZHOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA445EDJT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA445EDJT-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Ta) 168W(Tc) TO-220
型号:
TK56E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK56E12N1S1X-ND
别名:TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1S1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 69nC @ 10V,
无铅
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