产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(4)
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(11)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(6)
TO-220-3(9)
TO-220-3 整包(4)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(1)
PowerPAK? SC-70-6(1)
8-PowerTDFN(4)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(1)
TO-220-5(1)
TO-220-3 全封装，隔离接片(1)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
20-FLFBGA（30 针）(1)
重新选择
STMicroelectronics(1)
Fairchild/ON Semiconductor(9)
On Semiconductor(2)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(4)
IXYS(3)
Infineon Technologies(27)
NXP USA Inc.(2)
重新选择
表面贴装(31)
通孔(19)
重新选择
-55°C ~ 150°C（TJ）(18)
-55°C ~ 175°C（TJ）(29)
150°C（TJ）(3)
重新选择
-(4)
FDmesh?? II(1)
TrenchFET?(2)
TrenchMOS??(2)
PowerTrench?(6)
PowerTrench?，SyncFET??(2)
U-MOSVIII-H(2)
TrenchMV??(3)
OptiMOS??(17)
HEXFET?(10)
Dual Cool??，PowerTrench?，SyncFET??(1)
重新选择
剪切带（CT） (21)
带卷（TR） (6)
管件 (23)
重新选择
在售(28)
已不再提供(5)
过期(17)
重新选择
8-SO(3)
D-Pak(2)
D2PAK(3)
TO-220-3(2)
TO-220AB(5)
TO-220(1)
TO-220FP(2)
6-TSOP(1)
PowerPAK? SC-70-6 单(1)
Micro8?(2)
Power56(1)
D2PAK（TO-263AB）(1)
TO-220F(1)
Dual Cool?56(1)
TO-220-5(1)
TO-263（IXTA）(1)
PG-TDSON-8(2)
PG-TO252-3(5)
PG-TO252-3-11(2)
IPAK（TO-251）(1)
P-DSO-8(1)
PG-TO263-2(1)
TO-220SIS(1)
TO-262(1)
PG-TO-220-3(1)
PG-TO220-FP(1)
I2PAK(1)
PG-TO262-3(1)
P-TO252-3(2)
TO-263-7（IXTA..7）(1)
20-FLFBGA（3.5x4.0）(1)
重新选择
MOSFET（金属氧化物）(50)
重新选择
±30V(2)
±20V(45)
±25V(1)
±12V(1)
重新选择
69nC @ 10V(50)
重新选择
180 毫欧 @ 10A，10V(1)
11 毫欧 @ 25A，10V(3)
77 毫欧 @ 17A，10V(1)
19.2 毫欧 @ 7A，10V(1)
2.4 毫欧 @ 25A，10V(1)
26 毫欧 @ 7A，10V(2)
8.4 毫欧 @ 47A，10V(8)
5.4 毫欧 @ 80A，10V(1)
5.3 毫欧 @ 90A，10V(2)
4.7 毫欧 @ 50A，10V(1)
4.2 毫欧 @ 50A，10V(1)
13 毫欧 @ 30A，10V(3)
520 毫欧 @ 4.5A，10V(2)
15 毫欧 @ 49A，10V(2)
4.3 毫欧 @ 25A，10V(2)
5.7 毫欧 @ 80A，10V(2)
1.95 毫欧 @ 28A，10V(2)
10 毫欧 @ 15A，10V(1)
4.1 毫欧 @ 77A，10V(1)
7.5 毫欧 @ 28A，10V(1)
5.7 毫欧 @ 60A，10V(1)
16 毫欧 @ 49A，10V(1)
18 毫欧 @ 80A，10V(1)
7 毫欧 @ 28A，10V(1)
12.7 毫欧 @ 50A，10V(1)
12.7 毫欧 @ 34A，10V(3)
21 毫欧 @ 8.9A，10V(2)
4.5 毫欧 @ 20.5A，10V(1)
重新选择
10V(24)
4.5V，10V(16)
2.5V，4.5V(1)
6V，10V(8)
重新选择
N 沟道(44)
P 沟道(6)
重新选择
12A（Tc）(3)
60A（Tc）(1)
28A（Tc）(1)
8A（Tc）(1)
25A（Ta）(1)
90A（Tc）(2)
50A（Tc）(4)
30A（Tc）(3)
75A（Tc）(2)
19A（Ta），100A（Tc）(1)
20A（Ta）(1)
80A（Tc）(4)
57A（Tc）(3)
7A（Ta）(2)
56A（Tc）(4)
77A（Tc）(1)
18A（Ta），100A（Tc）(1)
88A（Tc）(3)
19.5A（Tc）(1)
56A（Ta）(1)
79A（Tc）(5)
8.9A（Ta）(2)
28A（Ta），49A（Tc）(1)
19.7A（Tc）(1)
34A（Ta），49A（Tc）(1)
重新选择
1300pF @ 25V(1)
3845pF @ 15V(1)
2300pF @ 25V(2)
2580pF @ 15V(1)
2204pF @ 25V(2)
2290pF @ 50V(8)
4750pF @ 40V(6)
4800pF @ 40V(1)
1800pF @ 25V(4)
1645pF @ 25V(2)
4760pF @ 25V(3)
2100pF @ 50V(1)
3140pF @ 25V(3)
2300pF @ 30V(1)
4515pF @ 13V(2)
5690pF @ 30V(1)
4800pF @ 37.5V(1)
4200pF @ 60V(2)
5522pF @ 25V(1)
2410pF @ 50V(1)
2180pF @ 10V(1)
1754pF @ 25V(2)
3300pF @ 15V(1)
4824pF @ 25V(2)
重新选择
-(49)
电流感测(1)
重新选择
4V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(1)
4.5V @ 100μA(2)
1.2V @ 250μA(1)
3V @ 1mA(3)
3V @ 250μA(2)
4.5V @ 250μA(3)
4V @ 1mA(4)
3.3V @ 250μA(1)
2V @ 80μA(7)
2V @ 100μA(2)
5.5V @ 250μA(1)
4V @ 100μA(11)
3.5V @ 90μA(7)
3.8V @ 91μA(1)
重新选择
45W（Tc）(1)
110W（Tc）(11)
3W（Ta）(1)
2.5W（Ta）(1)
2W（Ta），4.2W（Tc）(1)
3.5W（Ta），7.8W（Tc）(1)
150W（Tc）(7)
230W（Tc）(3)
255W（Tc）(1)
19W（Tc）(1)
39W（Tc）(3)
1.79W（Ta）(2)
2.5W（Ta），83W（Tc）(1)
2.5W（Ta），125W（Tc）(2)
136W（Tc）(7)
254W（Tc）(2)
3.3W（Ta），78W（Tc）(1)
44.1W（Tc）(1)
168W（Tc）(1)
2.35W（Ta）(2)
重新选择
20V(1)
80V(7)
120V(2)
25V(2)
75V(1)
100V(6)
40V(2)
30V(7)
60V(10)
600V(1)
500V(2)
85V(3)
55V(6)
重新选择
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3421DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3421DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3421DV-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1.79W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7726TRPBF
仓库库存编号：
IRF7726TRPBFCT-ND
别名：IRF7726TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号：
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名：IRFR1018ETRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N08N3 G
仓库库存编号：
IPB054N08N3 GCT-ND
别名：IPB054N08N3 GCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3GATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD30N06S2L13ATMA4
仓库库存编号：
IPD30N06S2L13ATMA4CT-ND
别名：IPD30N06S2L13ATMA4CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1018EPBF
仓库库存编号：
IRF1018EPBF-ND
别名：SP001574502
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF11N50ZG
仓库库存编号：
NDF11N50ZGOS-ND
别名：NDF11N50ZG-ND
NDF11N50ZGOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 110W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP150N10
仓库库存编号：
FDP150N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP23NM60ND
仓库库存编号：
497-8445-5-ND
别名：497-8445-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名：IRF1018ESTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
型号：
FDMS7570S
仓库库存编号：
FDMS7570SCT-ND
别名：FDMS7570SCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB150N10
仓库库存编号：
FDB150N10CT-ND
别名：FDB150N10CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 77A（Tc） 44.1W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF041N06BL1
仓库库存编号：
FDPF041N06BL1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042NE7NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GCT-ND
BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK56A12N1,S4X
仓库库存编号：
TK56A12N1S4X-ND
别名：TK56A12N1,S4X(S
TK56A12N1,S4X-ND
TK56A12N1S4X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA057N08N3 G
IPA057N08N3 G-ND
IPA057N08N3G
SP000454442
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名：IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 110W（Tc） I2PAK
型号：
FDI150N10
仓库库存编号：
FDI150N10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3651U
仓库库存编号：
FDP3651U-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4090DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4090DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4090DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
型号：
NDF11N50ZH
仓库库存编号：
NDF11N50ZHOS-ND
别名：NDF11N50ZH-ND
NDF11N50ZHOS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA445EDJT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA445EDJT-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Ta） 168W（Tc） TO-220
型号：
TK56E12N1,S1X
仓库库存编号：
TK56E12N1S1X-ND
别名：TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1S1X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 69nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
