产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC604P
仓库库存编号:
FDC604PCT-ND
别名:FDC604PCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8734TRPBF
仓库库存编号:
IRF8734TRPBFCT-ND
别名:IRF8734TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7108DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7108DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7108DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7108DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7108DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7108DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA72DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA72DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA72DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 56.8W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA72DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA72DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA72DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 2.8W(Ta),108W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD17575Q3T
仓库库存编号:
296-37961-1-ND
别名:296-37961-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.25W(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A040ZPTR
仓库库存编号:
RT1A040ZPCT-ND
别名:RT1A040ZPCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 6.8W(Ta),65W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N02-06P-E3
仓库库存编号:
SUD50N02-06P-E3CT-ND
别名:SUD50N02-06P-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD35P6LLF6
仓库库存编号:
497-15462-1-ND
别名:497-15462-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 P 沟道 42A(Tc) 100W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL42P6LLF6
仓库库存编号:
497-15479-1-ND
别名:497-15479-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RZR040P01TL
仓库库存编号:
RZR040P01TLCT-ND
别名:RZR040P01TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 3.6W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493DDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3493DDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3493DDV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20A(Ta) 5W(Ta) 8-DFN(2x2)
型号:
AON2411
仓库库存编号:
785-1664-1-ND
别名:785-1664-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 28V 60A(Tc) 75W(Tc) DPAK
型号:
NTD60N03T4
仓库库存编号:
NTD60N03T4OS-ND
别名:NTD60N03T4OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 5.4A(Tj) 1.3W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS2101PT1
仓库库存编号:
NTHS2101PT1OS-ND
别名:NTHS2101PT1OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 28V 60A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 28V 60A(Tc) 75W(Tc) I-Pak
型号:
NTD60N03-001
仓库库存编号:
NTD60N03-001OS-ND
别名:NTD60N03-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Tc) 1.92W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x2)
型号:
FDM606P
仓库库存编号:
FDM606P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 4.2A SSOT-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
NDH832P
仓库库存编号:
NDH832P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.3A(Ta) 1.47W(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8415DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8415DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8415DB-T1-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6.8A(Ta) 1.9W(Ta) 8-MLP,MicroFET(3x1.9)
型号:
FDMB506P
仓库库存编号:
FDMB506P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 13A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7882DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7882DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7882DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 30nC @ 4.5V,
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