产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.4A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2A14FTA
仓库库存编号:
ZXMN2A14FCT-ND
别名:ZXMN2A14FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 56A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),56A(Tc) 2.7W(Ta) 8-VSON(3.3x3.3)
型号:
CSD17304Q3
仓库库存编号:
296-27509-1-ND
别名:296-27509-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3423
仓库库存编号:
785-1016-1-ND
别名:785-1016-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 2.7W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD13202Q2
仓库库存编号:
296-38911-1-ND
别名:296-38911-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4815N-1G
仓库库存编号:
NTD4815N-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) DPAK
型号:
NTD4815NT4G
仓库库存编号:
NTD4815NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.8A(Tc) 3.3W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SQ1470EH-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ1470EH-T1-GE3CT-ND
别名:SQ1470EH-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.9A(Ta),35A(Tc) 1.26W(Ta),32.6W(Tc) DPAK
型号:
NVD4815NT4G
仓库库存编号:
NVD4815NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.6nC @ 4.5V,
无铅
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