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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 56W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN045-80YS,115
  仓库库存编号：1727-4630-1-ND
  别名：1727-4630-1
  568-5587-1
  568-5587-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3424CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3424CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3424CDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN3026LVT-7
  仓库库存编号：DMN3026LVT-7DICT-ND
  别名：DMN3026LVT-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN3026LVTQ-7
  仓库库存编号：DMN3026LVTQ-7DICT-ND
  别名：DMN3026LVTQ-7DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5N105K5
  仓库库存编号：497-15278-5-ND
  别名：497-15278-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU02N60C3BKMA1
  仓库库存编号：SPU02N60C3BKMA1-ND
  别名：Q67040S4659
  SP000015064
  SPU02N60C3
  SPU02N60C3-ND
  SPU02N60C3X
  SPU02N60C3XK
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP11N65M2
  仓库库存编号：497-15039-5-ND
  别名：497-15039-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11N65M2
  仓库库存编号：497-15034-5-ND
  别名：497-15034-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 85W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU11N65M2
  仓库库存编号：497-15043-5-ND
  别名：497-15043-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 70W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5N95K5
  仓库库存编号：497-14283-5-ND
  别名：497-14283-5
  STP5N95K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N65M2
  仓库库存编号：497-15054-1-ND
  别名：497-15054-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N95K5
  仓库库存编号：497-14213-1-ND
  别名：497-14213-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N65M2
  仓库库存编号：497-15048-1-ND
  别名：497-15048-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N95K5
  仓库库存编号：497-14274-5-ND
  别名：497-14274-5
  STF5N95K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI11N65M2
  仓库库存编号：497-15038-5-ND
  别名：497-15038-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 3.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU5N95K5
  仓库库存编号：STU5N95K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 25W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：STF5N105K5
  仓库库存编号：497-15116-5-ND
  别名：497-15116-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP02N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP02N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013523
  SPP02N60C3
  SPP02N60C3IN
  SPP02N60C3IN-ND
  SPP02N60C3X
  SPP02N60C3XK
  SPP02N60C3XTIN
  SPP02N60C3XTIN-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60C3ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60C3ATMA1TR-ND
  别名：SP000013516
  SPB02N60C3
  SPB02N60C3INTR
  SPB02N60C3INTR-ND
  SPB02N60C3XT
  SPB02N60C3XT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD02N60C3BTMA1
  仓库库存编号：SPD02N60C3BTMA1CT-ND
  别名：SPD02N60C3INCT
  SPD02N60C3INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPS02N60C3
  仓库库存编号：SPS02N60C3-ND
  别名：SP000235878
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12.5nC @ 10V,
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