产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RZF013P01TL
仓库库存编号:
RZF013P01TLCT-ND
别名:RZF013P01TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1A(Ta) 1.6W(Ta) TLM621H
型号:
CTLDM7120-M621H TR
仓库库存编号:
CTLDM7120-M621H CT-ND
别名:CTLDM7120-M621H CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
ES6U1T2R
仓库库存编号:
ES6U1T2RCT-ND
别名:ES6U1T2RCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 400mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1A013ZPT2R
仓库库存编号:
RW1A013ZPT2RCT-ND
别名:RW1A013ZPT2RCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 20V 1A SOT563
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 150mW(Ta) SOT-563
型号:
CMLDM7120G TR
仓库库存编号:
CMLDM7120G CT-ND
别名:CMLDM7120G CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 2.2A(Tc) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23201W10
仓库库存编号:
296-24258-1-ND
别名:296-24258-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 2.4nC @ 4.5V,
无铅
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