产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 27W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R800CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R800CEXKSA1-ND
别名:SP001276046
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5.7A(Tc) 27W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R750E6
仓库库存编号:
IPA60R750E6-ND
别名:IPA60R750E6XKSA1
SP000842480
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 8.4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8.4A(Tc) 27W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN60R800CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN60R800CEXKSA1-ND
别名:SP001508822
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 48W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R800CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6ATMA1-ND
别名:SP001117728
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R750E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R750E6XKSA1-ND
别名:IPP60R750E6
IPP60R750E6-ND
SP000842482
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296E6327
仓库库存编号:
BSP296INCT-ND
别名:BSP296INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296 E6433
仓库库存编号:
BSP296 E6433-ND
别名:BSP296E6433T
SP000011107
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.1A(Ta) 1.79W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP296L6327HTSA1CT-ND
别名:BSP296L6327INCT
BSP296L6327INCT-ND
BSP296XTINCT
BSP296XTINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 48W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R750E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R750E6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R750E6BTMA1CT
IPD60R750E6CT
IPD60R750E6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17.2nC @ 10V,
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