产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(3)
TO-261-4，TO-261AA(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(8)
TO-243AA(1)
SOT-223-3(1)
6-WDFN 裸露焊盘(1)
8-PowerTDFN(1)
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(3)
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Diodes Incorporated(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
On Semiconductor(1)
Nexperia USA Inc.(1)
Rohm Semiconductor(2)
Vishay Siliconix(1)
Texas Instruments(1)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(11)
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表面贴装(18)
通孔(3)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(11)
-55°C ~ 175°C（TJ）(1)
150°C（TJ）(4)
-40°C ~ 150°C（TJ）(5)
重新选择
-(6)
TrenchFET?(1)
NexFET??(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(1)
UniFET??(1)
CoolMOS??(4)
OptiMOS??(2)
CoolMOS? CE(3)
CoolMOS? C6(2)
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剪切带（CT） (11)
带卷（TR） (6)
管件 (4)
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在售(15)
已不再提供(1)
不可用于新设计(1)
过期(4)
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D-Pak(1)
SOT-23-3（TO-236）(1)
SOT-23(2)
TO-252-3(2)
LFPAK33(1)
6-SON（2x2）(1)
CPT3(2)
PG-SOT223-4(2)
PG-TO252-3(2)
PG-SOT223(1)
PG-TO251-3(3)
SOT-89/PCP-1(1)
MP-3A(1)
Thin-PAK（5x6）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(21)
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±30V(4)
±20V(15)
±12V(2)
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6.7nC @ 10V(21)
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690 毫欧 @ 2.5A，10V(1)
60 毫欧 @ 3.2A，10V(1)
600 毫欧 @ 1.2A，10V(2)
2.1 欧姆 @ 760mA，10V(4)
15 毫欧 @ 5A，10V(1)
67 毫欧 @ 5A，10V(1)
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V(2)
117 毫欧 @ 2A，10V(1)
5.4 欧姆 @ 1A，10V(1)
870 毫欧 @ 1.5A，10V(1)
2.1 欧姆 @ 800mA，10V(1)
2 欧姆 @ 760mA，10V(4)
5 欧姆 @ 1.2A，10V(1)
重新选择
10V(14)
4.5V，10V(4)
2.5V，4.5V(2)
4V，10V(1)
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N 沟道(19)
P 沟道(2)
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2.4A（Tc）(4)
2A（Tc）(1)
5A（Tc）(1)
3A（Tc）(1)
2.8A（Ta）(2)
2.3A（Tc）(4)
4.5A（Ta）(1)
2.4A（Ta）(1)
3.7A（Tc）(1)
1.2A（Ta）(2)
22A（Ta）(1)
14A（Tc）(1)
3.3A（Ta），3.6A（Tc）(1)
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235pF @ 15V(1)
250pF @ 25V(1)
270pF @ 25V(1)
140pF @ 100V(9)
419pF @ 10V(1)
165pF @ 25V(1)
152.7pF @ 25V(2)
310pF @ 20V(1)
334pF @ 25V(1)
285pF @ 15V(2)
168pF @ 25V(1)
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-(20)
超级结(1)
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-(1)
5V @ 250μA(1)
1.4V @ 250μA(2)
2.2V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(1)
1.9V @ 250μA(1)
2.6V @ 1mA(1)
1.8V @ 100μA(2)
3.5V @ 60μA(9)
5.2V @ 1mA(1)
4.7V @ 1mA(1)
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1.4W（Ta）(2)
1.1W（Ta），1.7W（Tc）(1)
20W（Tc）(1)
2.5W（Ta）(1)
38W（Tc）(1)
30W（Tc）(1)
1.8W（Ta）(2)
5W（Tc）(1)
43W（Tc）(1)
850mW（Ta），20W（Tc）(1)
31W（Tc）(1)
22W（Tc）(2)
3.5W（Tc）(1)
22.3W（Tc）(4)
21.6W（Tc）(1)
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20V(1)
200V(2)
100V(2)
30V(3)
60V(2)
600V(9)
500V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
FDD7N20TM
仓库库存编号：
FDD7N20TMCT-ND
别名：FDD7N20TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP296NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP296NH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 2.3A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R2K1CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU60R2K1CEBKMA1-ND
别名：SP001276064
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 22A（Ta） 2.5W（Ta） 6-SON（2x2）
型号：
CSD15571Q2
仓库库存编号：
296-39992-1-ND
别名：296-39992-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 31W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M67-60EX
仓库库存编号：
1727-2564-1-ND
别名：1727-2564-1
568-13008-1
568-13008-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMP3120L-7
仓库库存编号：
1034-DMP3120L-7DI-ND
别名：1034-DMP3120L-7DI
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 3.5W（Tc） SOT-89/PCP-1
型号：
PCP1403-TD-H
仓库库存编号：
PCP1403-TD-HOSCT-ND
别名：PCP1403-TD-HOSCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RND030N20TL
仓库库存编号：
RND030N20TLCT-ND
别名：RND030N20TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
型号：
IPN60R2K1CEATMA1
仓库库存编号：
IPN60R2K1CEATMA1CT-ND
别名：IPN60R2K1CEATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R2K1CEAUMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND
别名：IPD60R2K1CEAUMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），3.6A（Tc） 1.1W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2304DDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2304DDS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R2K0C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R2K0C6AKMA1-ND
别名：SP001399934
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V CPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
RDD022N50TL
仓库库存编号：
RDD022N50TL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 22W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R2K1CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K1CEBTMA1CT-ND
别名：IPD60R2K1CEBTMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名：SP001098610
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R2K0C6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K0C6ATMA1-ND
别名：SP001117714
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.3A（Tc） 21.6W（Tc） Thin-PAK（5x6）
型号：
IPL60R2K1C6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R2K1C6SATMA1-ND
别名：SP001163026
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.8A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23
型号：
DMP3120L-7
仓库库存编号：
DMP3120L-7DI-ND
别名：DMP3120L-7DI
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO92
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.4A（Ta） 30W（Tc） MP-3A
型号：
RJK5002DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK5002DPD-00#J2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R2K0C6BTMA1
仓库库存编号：
IPD60R2K0C6BTMA1CT-ND
别名：IPD60R2K0C6CT
IPD60R2K0C6CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 22.3W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R2K0C6BKMA1
仓库库存编号：
IPU60R2K0C6BKMA1-ND
别名：SP000931528
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 6.7nC @ 10V,
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