产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 420mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG327N
仓库库存编号:
FDG327NCT-ND
别名:FDG327NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),19A(Tc) 2.7W(Ta),19W(Tc) 8-HSO
型号:
SK8603190L
仓库库存编号:
P16271CT-ND
别名:P16271CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD23203WT
仓库库存编号:
296-38615-1-ND
别名:296-38615-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN327N
仓库库存编号:
FDN327NCT-ND
别名:FDN327NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 10A 8HSSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),19A(Tc) 2W(Ta),19W(Tc) 8-HSSO
型号:
SK8403190L
仓库库存编号:
P16266CT-ND
别名:P16266CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.3A(Ta) 2.17W(Ta) TO-252-3
型号:
DMN3020LK3-13
仓库库存编号:
DMN3020LK3-13DICT-ND
别名:DMN3020LK3-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6.3nC @ 4.5V,
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