产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 75nC @ 8V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
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工作温度
系列
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
PowerPAK? SC-70-6(1)
PowerPAK? 1212-8(2)
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Vishay Siliconix(3)
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表面贴装(3)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）(2)
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TrenchFET?(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
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剪切带（CT） (1)
带卷（TR） (2)
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在售(3)
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PowerPAK? SC-70-6 单(1)
PowerPAK? 1212-8(2)
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MOSFET（金属氧化物）(3)
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±8V(2)
±12V(1)
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75nC @ 8V(3)
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18 毫欧 @ 7.6A，4.5V(1)
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1.8V，4.5V(1)
2.5V，4.5V(2)
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P 沟道(3)
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12A（Tc）(1)
16A（Tc）(2)
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-(1)
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-(3)
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1V @ 250μA(2)
1.2V @ 250μA(1)
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3.5W（Ta），19W（Tc）(1)
39W（Tc）(2)
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12V(2)
20V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA433EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA433EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA433EDJ-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 75nC @ 8V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS405EN-T1_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 75nC @ 8V,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS405ENW-T1_GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 75nC @ 8V,
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