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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 95A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 64W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R0-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1232-1-ND
  别名：1727-1232-1
  568-10433-1
  568-10433-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP6110SSS-13
  仓库库存编号：DMP6110SSS-13DICT-ND
  别名：DMP6110SSS-13DICT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V MLFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 42.9A（Tc） 62W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK7M15-60EX
  仓库库存编号：1727-2557-1-ND
  别名：1727-2557-1
  568-13001-1
  568-13001-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGTR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGCT-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM60NB380CP ROG
  仓库库存编号：TSM60NB380CP ROGDKR-ND
  别名：TSM60NB380CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGTR-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGCT-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM80N1R2CP ROG
  仓库库存编号：TSM80N1R2CP ROGDKR-ND
  别名：TSM80N1R2CP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 25W（Tc） ITO-220
  
  型号：TSM80N1R2CI C0G
  仓库库存编号：TSM80N1R2CI C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-262S（I2PAK）
  
  型号：TSM80N1R2CL C0G
  仓库库存编号：TSM80N1R2CL C0G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 83W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM60NB380CH C5G
  仓库库存编号：TSM60NB380CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 110W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM80N1R2CH C5G
  仓库库存编号：TSM80N1R2CH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP6110SSSQ-13
  仓库库存编号：DMP6110SSSQ-13-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V 25A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Ta） 50W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK0658DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK0658DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10
  仓库库存编号：SPB10N10-ND
  别名：SP000013845
  SPB10N10T
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10 G
  仓库库存编号：SPB10N10 G-ND
  别名：SP000102168
  SPB10N10GXT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10
  仓库库存编号：SPI10N10-ND
  别名：SP000013846
  SPI10N10X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10
  仓库库存编号：SPP10N10-ND
  别名：SP000013844
  SPP10N10X
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.4nC @ 10V,
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