产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated (3)
Nexperia USA Inc. (1)
ON Semiconductor (7)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK
型号:
NTD20N03L27T4G
仓库库存编号:
NTD20N03L27T4GOSCT-ND
别名:NTD20N03L27T4GOS
NTD20N03L27T4GOS-ND
NTD20N03L27T4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),31A(Tc) 1.16W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMT6015LPS-13
仓库库存编号:
DMT6015LPS-13DICT-ND
别名:DMT6015LPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R5-25MLDX
仓库库存编号:
1727-2502-1-ND
别名:1727-2502-1
568-12934-1
568-12934-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),35A(Tc) 2.2W(Ta),30W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6015LFV-13
仓库库存编号:
DMT6015LFV-13-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta),35A(Tc) 2.2W(Ta),30W(Tc) PowerDI3333-8
型号:
DMT6015LFV-7
仓库库存编号:
DMT6015LFV-7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22.4A(Ta),94A(Tc) 2.66W(Ta), 46.3W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4H05NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4H05NTWG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22.4A(Ta),94A(Tc) 2.66W(Ta), 46.3W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4H05NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4H05NTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) I-Pak
型号:
NTD20N03L27-001
仓库库存编号:
NTD20N03L27-001OS-ND
别名:NTD20N03L27-001OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK
型号:
NTD20N03L27
仓库库存编号:
NTD20N03L27-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) I-Pak
型号:
NTD20N03L27-1G
仓库库存编号:
NTD20N03L27-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 1.75W(Ta),74W(Tc) DPAK
型号:
NVD20N03L27T4G
仓库库存编号:
NVD20N03L27T4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 18.9nC @ 10V,
无铅
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