以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15.5A（Ta） 65W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD20P06LT4G
  仓库库存编号：NTD20P06LT4GOSCT-ND
  别名：NTD20P06LT4GOS
  NTD20P06LT4GOS-ND
  NTD20P06LT4GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.7A（Tc） 2.77W（Ta），6.25W（Tc） 4-Microfoot
  
  型号：SI8429DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8429DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8429DB-T1-E1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811AVTRPBF
  仓库库存编号：IRF7811AVPBFCT-ND
  别名：*IRF7811AVTRPBF
  IRF7811AVPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPDH4N03LAG
  仓库库存编号：IPDH4N03LAGINCT-ND
  别名：IPDH4N03LAGINCT
  IPDH4N03LAGXTINCT
  IPDH4N03LAGXTINCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 550mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E070RPTR
  仓库库存编号：RQ1E070RPCT-ND
  别名：RQ1E070RPCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15.5A（Ta） 65W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTDV20P06LT4G-VF01
  仓库库存编号：NTDV20P06LT4G-VF01-ND
  别名：NTDV20P06LT4G
  NTDV20P06LT4G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 15.5A（Ta） 65W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD20P06L-001
  仓库库存编号：NTD20P06L-001OS-ND
  别名：NTD20P06L-001OS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 15.5A（Ta） 65W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD20P06L-1G
  仓库库存编号：NTD20P06L-1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7811AVTR
  仓库库存编号：IRF7811AVTR-ND
  别名：SP001560030
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPSH4N03LA G
  仓库库存编号：IPSH4N03LA G-ND
  别名：IPSH4N03LAGX
  SP000016331
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 26nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索