产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6375
仓库库存编号:
FDS6375CT-ND
别名:FDS6375CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD17312Q5
仓库库存编号:
296-27613-1-ND
别名:296-27613-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TRPBF
仓库库存编号:
IRF8113PBFCT-ND
别名:*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4430BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4430BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4430BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB13XNE,115
仓库库存编号:
1727-1365-1-ND
别名:1727-1365-1
568-10810-1
568-10810-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.1A(Ta) 910mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS4802NR2G
仓库库存编号:
NTMS4802NR2G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4430BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4430BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4430BDY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4420A
仓库库存编号:
785-1287-1-ND
别名:785-1287-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TR
仓库库存编号:
IRF8113TR-ND
别名:SP001577648
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113
仓库库存编号:
IRF8113-ND
别名:*IRF8113
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8113GTRPBFCT-ND
别名:IRF8113GTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 36nC @ 4.5V,
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