产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRPBF
仓库库存编号:
IRLR3410PBFCT-ND
别名:*IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3410PBF
仓库库存编号:
IRLU3410PBF-ND
别名:*IRLU3410PBF
64-4160PBF
64-4160PBF-ND
SP001574164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530NPBF
仓库库存编号:
IRLI530NPBF-ND
别名:*IRLI530NPBF
SP001573830
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRL530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRL530NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530NPBF
仓库库存编号:
IRL530NPBF-ND
别名:*IRL530NPBF
64-0095PBF
64-0095PBF-ND
SP001578734
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3410TRL
仓库库存编号:
AUIRLR3410TRLCT-ND
别名:AUIRLR3410TRLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9618-55A,118
仓库库存编号:
568-9679-1-ND
别名:568-9679-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 61A(Tc) 136W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9518-55A,127
仓库库存编号:
568-9736-5-ND
别名:568-9736-5
934056811127
BUK9518-55A
BUK9518-55A,127-ND
BUK9518-55A-ND
BUK951855A127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DY,518
仓库库存编号:
SI4410DY,518-ND
别名:934056382518
SI4410DY /T3
SI4410DY /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6675A
仓库库存编号:
FDS6675A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
94-2310
仓库库存编号:
94-2310-ND
别名:*IRL530NS
IRL530NS
IRL530NS-ND
SP001519078
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530N
仓库库存编号:
IRLI530N-ND
别名:*IRLI530N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) TO-262
型号:
IRL530NL
仓库库存编号:
IRL530NL-ND
别名:*IRL530NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530NSTRL
仓库库存编号:
IRL530NSTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRL530NSTRR
仓库库存编号:
IRL530NSTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRL
仓库库存编号:
IRLR3410TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRR
仓库库存编号:
IRLR3410TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410CPBF
仓库库存编号:
IRLR3410CPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 5V,
无铅
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