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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A WDFN8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS5C673NLTAG
  仓库库存编号：NTTFS5C673NLTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS5C673NLTAGOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3N80K5
  仓库库存编号：497-14267-1-ND
  别名：497-14267-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU2N80K5
  仓库库存编号：497-15022-5-ND
  别名：497-15022-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB408DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB408DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB408DK-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
  
  型号：STQ1HN60K3-AP
  仓库库存编号：497-13784-1-ND
  别名：497-13784-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.2A（Tc） 27W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU1HN60K3
  仓库库存编号：497-13787-5-ND
  别名：497-13787-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK
  
  型号：STD1HN60K3
  仓库库存编号：497-13748-1-ND
  别名：497-13748-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.8A（Tc） 33W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN020-30MLCX
  仓库库存编号：1727-7276-1-ND
  别名：1727-7276-1
  568-9906-1
  568-9906-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU3N80K5
  仓库库存编号：497-14223-5-ND
  别名：497-14223-5
  STU3N80K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP3N80K5
  仓库库存编号：497-14281-5-ND
  别名：497-14281-5
  STP3N80K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 2A TSMT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5H020SPTL
  仓库库存编号：RQ5H020SPTLCT-ND
  别名：RQ5H020SPTLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Tc） 25W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB02N60S5ATMA1
  仓库库存编号：SPB02N60S5ATMA1CT-ND
  别名：SPB02N60S5INCT
  SPB02N60S5INCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），2.2A（Tc） 2W（Ta），22W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL3NM60N
  仓库库存编号：497-13351-1-ND
  别名：497-13351-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3N80K5
  仓库库存编号：497-14272-5-ND
  别名：497-14272-5
  STF3N80K5-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM850N06CX RFG
  仓库库存编号：TSM850N06CX RFGTR-ND
  别名：TSM850N06CX RFGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM850N06CX RFG
  仓库库存编号：TSM850N06CX RFGCT-ND
  别名：TSM850N06CX RFGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 1.7W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM850N06CX RFG
  仓库库存编号：TSM850N06CX RFGDKR-ND
  别名：TSM850N06CX RFGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGTR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGCT-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM2N60ECP ROG
  仓库库存编号：TSM2N60ECP ROGDKR-ND
  别名：TSM2N60ECP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 60V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLWFAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5C673NLWFAFT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 50W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3NM60N
  仓库库存编号：497-13089-1-ND
  别名：497-13089-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 52.1W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：TSM2N60ECH C5G
  仓库库存编号：TSM2N60ECH C5G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPC8067-HLQ(S
  TPC8067HLQS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta），46W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C673NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C673NLT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V,
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