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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 3.2W（Ta），37W（Tc） 8-VSONP（3x3.15）
  
  型号：CSD17578Q3AT
  仓库库存编号：296-38462-1-ND
  别名：296-38462-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C59NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C59NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4C59NT1GOSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19534KCS
  仓库库存编号：296-38676-5-ND
  别名：296-38676-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），52A（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C028NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4C028NT3G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.4A（Ta），52A（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C028NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C028NT1G-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C09NT1G-001
  仓库库存编号：NTMFS4C09NT1G-001-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 22.2nC @ 10V,
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