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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8870
  仓库库存编号：FDD8870FSCT-ND
  别名：FDD8870FSCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R110CFD
  仓库库存编号：IPB65R110CFDCT-ND
  别名：IPB65R110CFDCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFD
  仓库库存编号：IPW65R110CFD-ND
  别名：IPW65R110CFDFKSA1
  SP000895232
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 68A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc） TO-247
  
  型号：STW70N60M2
  仓库库存编号：497-14226-5-ND
  别名：497-14226-5
  STW70N60M2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S402ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 21A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta） 160W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8870_F085
  仓库库存编号：FDD8870_F085CT-ND
  别名：FDD8870_F085CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31.3A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS015N04B
  仓库库存编号：FDMS015N04BCT-ND
  别名：FDMS015N04BCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000895234
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Tc） 3.8W（Ta）, 250W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：FDB0260N1007L
  仓库库存编号：FDB0260N1007LCT-ND
  别名：FDB0260N1007LCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPD100N04S402ATMA1CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R9-40E,127
  仓库库存编号：1727-1131-ND
  别名：1727-1131
  568-10286
  568-10286-5
  568-10286-5-ND
  568-10286-ND
  934066982127
  BUK7E1R9-40E,127-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90N04S402AKSA1
  仓库库存编号：IPI90N04S402AKSA1-ND
  别名：IPI90N04S4-02
  IPI90N04S4-02-ND
  SP000646194
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB088N08
  仓库库存编号：FDB088N08CT-ND
  别名：FDB088N08CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK761R7-40E,118
  仓库库存编号：1727-1088-1-ND
  别名：1727-1088-1
  568-10241-1
  568-10241-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta），8A（Tc） 4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3429EDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3429EDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3429EDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  POWER MOSFET
  详细描述：N 沟道 68A（Tc） 450W（Tc）
  
  型号：STW70N60M2-4
  仓库库存编号：STW70N60M2-4-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7905-40ATE,127
  仓库库存编号：BUK7905-40ATE,127-ND
  别名：934057946127
  BUK7905-40ATE
  BUK7905-40ATE-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N06P
  仓库库存编号：IXTQ150N06P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPP65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPP65R110CFD
  IPP65R110CFD-ND
  SP000895226
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N04S402ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N04S4-02
  IPB90N04S4-02-ND
  SP000646182
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPI65R110CFD
  IPI65R110CFD-ND
  SP000896398
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 34.7W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R110CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R110CFDXKSA1-ND
  别名：IPA65R110CFD
  IPA65R110CFD-ND
  SP000895230
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R110CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R110CFDAATMA1-ND
  别名：SP000896402
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R110CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R110CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000895236
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），35A（Tc） 160W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD044AN03L
  仓库库存编号：FDD044AN03L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 118nC @ 10V,
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