产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (6)
Fairchild/ON Semiconductor (2)
ON Semiconductor (2)
Vishay Siliconix (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3114ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3114ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3114ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SOIC
型号:
FDS4675_F085
仓库库存编号:
FDS4675_F085CT-ND
别名:FDS4675_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTWG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTWGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTWGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.4W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4675
仓库库存编号:
FDS4675CT-ND
别名:FDS4675CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta) 840mW(Ta) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS3A08PZTAG
仓库库存编号:
NTTFS3A08PZTAGOSCT-ND
别名:NTTFS3A08PZTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 40V 130A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
AUIRLU3114Z
仓库库存编号:
AUIRLU3114Z-ND
别名:SP001516750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4463BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4463BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4463BDY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611
仓库库存编号:
IRF6611CT-ND
别名:IRF6611CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6611TR1PBFCT-ND
别名:IRF6611TR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU3114ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3114ZPBF-ND
别名:SP001567310
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 42A(Tc) 140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR3114Z
仓库库存编号:
AUIRLR3114Z-ND
别名:SP001517704
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 56nC @ 4.5V,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号