产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3110ZTRPBF
仓库库存编号:
IRLR3110ZTRPBFCT-ND
别名:IRLR3110ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRLU3110ZPBF
仓库库存编号:
IRLU3110ZPBF-ND
别名:SP001578962
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7401TRPBF
仓库库存编号:
IRF7401PBFCT-ND
别名:*IRF7401TRPBF
IRF7401PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 54.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRC16DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRC16DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRC16DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 36.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA54DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA54DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA54DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),130A(Tc) 900mW(Ta),86.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4834NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4834NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4834NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRLU3110Z
仓库库存编号:
AUIRLU3110Z-ND
别名:SP001520848
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16.5A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7064N7
仓库库存编号:
FDS7064N7CT-ND
别名:FDS7064N7_NLCT
FDS7064N7_NLCT-ND
FDS7064N7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7064N
仓库库存编号:
FDS7064NCT-ND
别名:FDS7064N_NLCT
FDS7064N_NLCT-ND
FDS7064NCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 11.2A(Ta) 1.8W(Ta) SuperSOT?-8
型号:
FDR6580
仓库库存编号:
FDR6580-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6404DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6404DQ-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.6A(Ta) 1.08W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6404DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6404DQ-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3110Z
仓库库存编号:
AUIRLR3110Z-ND
别名:SP001521338
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 48nC @ 4.5V,
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