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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.75W（Ta），127W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB33N10LTM
  仓库库存编号：FQB33N10LTMCT-ND
  别名：FQB33N10LTMCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF33N10L
  仓库库存编号：FQPF33N10LFS-ND
  别名：FQPF33N10L-ND
  FQPF33N10LFS
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA3N50D2
  仓库库存编号：IXTA3N50D2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD04N03LB G
  仓库库存编号：IPD04N03LBGINCT-ND
  别名：IPD04N03LBG
  IPD04N03LBGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N50D2
  仓库库存编号：IXTP3N50D2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 127W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP33N10L
  仓库库存编号：FQP33N10L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 25.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 25.8A（Tc） 83W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF33N10L
  仓库库存编号：FQAF33N10L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 163W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA33N10L
  仓库库存编号：FQA33N10L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 111W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD98N03LT,118
  仓库库存编号：PHD98N03LT,118-ND
  别名：934056847118
  PHD98N03LT /T3
  PHD98N03LT /T3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB
  仓库库存编号：IPB04N03LB-ND
  别名：IPB04N03LBT
  SP000064219
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB04N03LB G
  仓库库存编号：IPB04N03LB G-ND
  别名：IPB04N03LBGXT
  SP000103301
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP04N03LB G
  仓库库存编号：IPP04N03LB G-ND
  别名：IPP04N03LBGX
  SP000064223
  SP000680800
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS03N03LB G
  仓库库存编号：IPS03N03LB G-ND
  别名：IPS03N03LBGX
  SP000220141
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS04N03LB G
  仓库库存编号：IPS04N03LB G-ND
  别名：IPS04N03LBGX
  SP000219859
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 115W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：IPU04N03LB G
  仓库库存编号：IPU04N03LB G-ND
  别名：IPU04N03LBGX
  SP000220463
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 5V,
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