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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.8A（Ta），100A（Tc） 156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC082N10LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC082N10LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC082N10LS GCT
  BSC082N10LS GCT-ND
  BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NF10
  仓库库存编号：497-4384-5-ND
  别名：497-4384-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 137W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP75N08A
  仓库库存编号：FDP75N08A-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ130N10T
  仓库库存编号：IXTQ130N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 36.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJA54DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJA54DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJA54DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB60NF10T4
  仓库库存编号：497-7951-1-ND
  别名：497-7951-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80N20M5
  仓库库存编号：497-10705-1-ND
  别名：497-10705-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP130N10T
  仓库库存编号：IXTP130N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH130N10T
  仓库库存编号：IXTH130N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：STB60NF10-1
  仓库库存编号：497-6185-5-ND
  别名：497-6185-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 62A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 780W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH62N65X2
  仓库库存编号：IXTH62N65X2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGTR-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGTR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGCT-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM038N04LCP ROG
  仓库库存编号：TSM038N04LCP ROGDKR-ND
  别名：TSM038N04LCP ROGDKR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 130A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA130N10T-TRL
  仓库库存编号：IXTA130N10T-TRLCT-ND
  别名：IXTA130N10T-TRLCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA130N10T7
  仓库库存编号：IXTA130N10T7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA130N10T
  仓库库存编号：IXFA130N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP130N10T
  仓库库存编号：IXFP130N10T-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 85A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD85P04P4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD85P04P4L06ATMA1-ND
  别名：SP000842056
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80P04P4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPB80P04P4L06ATMA1-ND
  别名：SP000842046
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH TO220-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80P04P4L06AKSA1
  仓库库存编号：IPP80P04P4L06AKSA1-ND
  别名：SP000842052
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH TO262-3
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80P04P4L06AKSA1
  仓库库存编号：IPI80P04P4L06AKSA1-ND
  别名：SP000842050
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 61A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80N20M5
  仓库库存编号：497-10715-5-ND
  别名：497-10715-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 131W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP75N08
  仓库库存编号：FDP75N08-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
  
  型号：RJK5018DPK-00#T0
  仓库库存编号：RJK5018DPK-00#T0-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 104nC @ 10V,
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