产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9540NPBF
仓库库存编号:
IRF9540NPBF-ND
别名:*IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP9140NPBF
仓库库存编号:
IRFP9140NPBF-ND
别名:*IRFP9140NPBF
SP001556802
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 540W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH18N90P
仓库库存编号:
IXFH18N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43A TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 193W(Tc) TO-3P
型号:
IRFP150A
仓库库存编号:
IRFP150A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 76A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 350W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP76N15T2
仓库库存编号:
IXFP76N15T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 76A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 350W(Tc) TO-263AA
型号:
IXFA76N15T2
仓库库存编号:
IXFA76N15T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 543W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100P
仓库库存编号:
IXFH15N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXFT18N90P
仓库库存编号:
IXFT18N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10.5A(Tc) 200W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR18N90P
仓库库存编号:
IXFR18N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV15N100P
仓库库存编号:
IXFV15N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV15N100PS
仓库库存编号:
IXFV15N100PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV18N90P
仓库库存编号:
IXFV18N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV18N90PS
仓库库存编号:
IXFV18N90PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 203W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R0-40C,127
仓库库存编号:
568-5226-5-ND
别名:568-5226
568-5226-5
568-5226-ND
934063295127
BUK754R040C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 203W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R6-40C,118
仓库库存编号:
1727-4422-1-ND
别名:1727-4422-1
568-5295-1
568-5295-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 140W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP9140N
仓库库存编号:
IRFP9140N-ND
别名:*IRFP9140N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRF9540NL
仓库库存编号:
IRF9540NL-ND
别名:*IRF9540NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 23A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540NSTRR
仓库库存编号:
IRF9540NSTRR-ND
别名:SP001555904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 97nC @ 10V,
含铅
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