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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW1R005PL,L1Q
  仓库库存编号：TPW1R005PLL1QCT-ND
  别名：TPW1R005PLL1QCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4456DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4456DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4456DY-T1-E3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-E3-ND
  别名：SIHB24N65EE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-E3-ND
  别名：SIHP24N65EE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA24N65EF-E3
  仓库库存编号：SIHA24N65EF-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-GE3-ND
  别名：SIHB24N65EGE3
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
  
  型号：STD80N6F6
  仓库库存编号：497-13942-1-ND
  别名：497-13942-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：STP80N6F6
  仓库库存编号：497-13976-5-ND
  别名：497-13976-5
  STP80N6F6-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• IXYS
  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ120N25X3
  仓库库存编号：IXFQ120N25X3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH120N25X3
  仓库库存编号：IXFH120N25X3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 520W（Tc） TO-268HV
  
  型号：IXFT120N25X3HV
  仓库库存编号：IXFT120N25X3HV-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-GE3-ND
  别名：SIHP24N65E-GE3CT
  SIHP24N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG24N65E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP17N80E-GE3
  仓库库存编号：SIHP17N80E-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 850V TO-220 FULLPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA17N80E-E3
  仓库库存编号：SIHA17N80E-E3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  MOSFET N-CHAN 850V TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG17N80E-GE3
  仓库库存编号：SIHG17N80E-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ458DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ458DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ458DP-T1-GE3CT
  
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  MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4456DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4456DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7374DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7374DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7374DP-T1-E3TR
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7374DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7374DP-T1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB24N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65ET5-GE3-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 122nC @ 10V,
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