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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3 G
  仓库库存编号：IPB042N10N3 GCT-ND
  别名：IPB042N10N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP045N10N3 G
  IPP045N10N3 G-ND
  IPP045N10N3G
  SP000680794
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB035N08N3 G
  仓库库存编号：IPB035N08N3 GCT-ND
  别名：IPB035N08N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB030N08N3 G
  仓库库存编号：IPB030N08N3 GCT-ND
  别名：IPB030N08N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R0-30PL,127
  仓库库存编号：1727-4268-ND
  别名：1727-4268
  568-4899-5
  568-4899-5-ND
  934063917127
  PSMN2R030PL127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA037N08N3 G
  仓库库存编号：IPA037N08N3 G-ND
  别名：IPA037N08N3G
  IPA037N08N3GXKSA1
  SP000446772
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7604-40A,118
  仓库库存编号：1727-7161-1-ND
  别名：1727-7161-1
  568-9644-1
  568-9644-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N08N3 G
  IPP037N08N3 G-ND
  IPP037N08N3G
  SP000680776
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH150N10F7-2
  仓库库存编号：497-14979-1-ND
  别名：497-14979-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 39W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA045N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPA045N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPA045N10N3 G
  IPA045N10N3 G-ND
  IPA045N10N3G
  SP000478912
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP034NE7N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP034NE7N3GXKSA1-ND
  别名：IPP034NE7N3 G
  IPP034NE7N3 G-ND
  IPP034NE7N3G
  SP000641724
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI045N10N3 G
  仓库库存编号：IPI045N10N3 G-ND
  别名：IPI045N10N3G
  IPI045N10N3GXKSA1
  SP000482424
  SP000683068
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5W（Ta），71.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA02DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA02DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA02DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E04-40A,127
  仓库库存编号：1727-7227-ND
  别名：1727-7227
  568-9744-5
  568-9744-5-ND
  934056701127
  BUK7E04-40A,127-ND
  BUK7E0440A127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 211W（Tc） D2PAK
  
  型号：PSMN2R0-30BL,118
  仓库库存编号：1727-7113-1-ND
  别名：1727-7113-1
  568-9483-1
  568-9483-1-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB039N10N3 G
  仓库库存编号：IPB039N10N3 GCT-ND
  别名：IPB039N10N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR414DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR414DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR414DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP150N10F7
  仓库库存编号：497-14570-5-ND
  别名：497-14570-5
  STP150N10F7-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI150N10F7
  仓库库存编号：497-15015-5-ND
  别名：497-15015-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 65A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF150N10F7
  仓库库存编号：497-15013-5-ND
  别名：497-15013-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW45NM50
  仓库库存编号：497-2760-5-ND
  别名：497-2760-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 446W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW70N65M2
  仓库库存编号：STW70N65M2-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
  详细描述：底座安装 N 沟道 550V 48A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：STE48NM50
  仓库库存编号：497-3170-5-ND
  别名：497-3170-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 187A AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 95A（Tc） 3.3W（Ta），136W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：AUIRFN8405TR
  仓库库存编号：AUIRFN8405TR-ND
  别名：SP001519644
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB042N10N3GE8187ATMA1
  仓库库存编号：IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
  别名：IPB042N10N3 G E8187
  IPB042N10N3 G E8187-ND
  IPB042N10N3 G E8187TR-ND
  SP000939332
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 117nC @ 10V,
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