产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(3)
TO-220-3(3)
TO-247-3(1)
8-PowerTDFN(1)
TO-3P-3,SC-65-3(1)
TO-264-3,TO-264AA(1)
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA(1)
3-WDSON(1)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(2)
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Diodes Incorporated(1)
STMicroelectronics(6)
Nexperia USA Inc.(1)
IXYS(3)
Infineon Technologies(1)
NXP USA Inc.(2)
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表面贴装(6)
通孔(8)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(4)
-55°C ~ 175°C(TJ)(8)
150°C(TJ)(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)(1)
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-(1)
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TrenchMOS??(2)
汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS?(1)
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D2PAK(3)
TO-220AB(3)
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PowerDI5060-8(1)
TO-3P(1)
TO-268(1)
TO-264(IXTK)(1)
MG-WDSON-2,CanPAK M?(1)
I2PAK(2)
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MOSFET(金属氧化物)(14)
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±20V(12)
±25V(1)
±12V(1)
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142nC @ 10V(14)
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4 毫欧 @ 25A,10V(1)
8 毫欧 @ 40A,10V(5)
49 毫欧 @ 23A,10V(1)
4.3 毫欧 @ 25A,10V(2)
4.6 毫欧 @ 13.5A,4.5V(1)
1.5 毫欧 @ 30A,10V(1)
35 毫欧 @ 41A,10V(3)
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10V(13)
2.5V,4.5V(1)
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N 沟道(14)
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46A(Tc)(1)
100A(Tc)(3)
80A(Tc)(5)
20A(Ta),100A(Tc)(1)
36A(Ta),180A(Tc)(1)
82A(Tc)(3)
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4800pF @ 25V(3)
6420pF @ 100V(1)
12000pF @ 20V(1)
11659pF @ 25V(3)
5300pF @ 25V(5)
5337pF @ 10V(1)
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-(14)
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4V @ 250μA(6)
5V @ 250μA(4)
1.2V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(3)
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330W(Tc)(1)
1.5W(Ta)(1)
300W(Tc)(5)
333W(Tc)(3)
2.8W(Ta),89W(Tc)(1)
500W(Tc)(3)
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20V(1)
75V(3)
40V(1)
250V(3)
650V(1)
55V(5)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-75C,118
仓库库存编号:
1727-5255-1-ND
别名:1727-5255-1
568-6579-1
568-6579-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB140NF55T4
仓库库存编号:
497-4321-1-ND
别名:497-4321-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 330W(Tc) TO-247
型号:
STW62N65M5
仓库库存编号:
497-13890-5-ND
别名:497-13890-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),100A(Tc) 1.5W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMN2005UPS-13
仓库库存编号:
DMN2005UPS-13DICT-ND
别名:DMN2005UPS-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB015N04NX3 G
仓库库存编号:
BSB015N04NX3 GCT-ND
别名:BSB015N04NX3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXTT82N25P
仓库库存编号:
IXTT82N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP141NF55
仓库库存编号:
497-7023-5-ND
别名:497-7023-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
STB141NF55
仓库库存编号:
STB141NF55-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP140NF55
仓库库存编号:
497-4370-5-ND
别名:497-4370-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ82N25P
仓库库存编号:
IXTQ82N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK82N25P
仓库库存编号:
IXTK82N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) I2PAK
型号:
STB141NF55-1
仓库库存编号:
STB141NF55-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB-3
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6627-5-ND
别名:568-6627
568-6627-5
568-6627-ND
934060122127
BUK754R3-75C,127-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 100A(Tc) 333W(Tc) I2PAK
型号:
BUK7E4R3-75C,127
仓库库存编号:
568-6630-5-ND
别名:568-6630
568-6630-5
568-6630-ND
934060123127
BUK7E4R3-75C,127-ND
BUK7E4R375C127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 142nC @ 10V,
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