产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB8743PBF
仓库库存编号:
IRLB8743PBF-ND
别名:SP001572884
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 78A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 78A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB4132PBF
仓库库存编号:
IRLB4132PBF-ND
别名:SP001558130
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR8314TRPBF
仓库库存编号:
IRFR8314TRPBFCT-ND
别名:IRFR8314TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2160H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2160H-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta) 1.1W(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4108NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4108NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4108NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6724MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6724MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6724MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),100W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6725MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6725MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6725MTR1PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 54nC @ 4.5V,
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