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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB025N08N3 G
  仓库库存编号：IPB025N08N3 GCT-ND
  别名：IPB025N08N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB025N10N3 G
  仓库库存编号：IPB025N10N3 GCT-ND
  别名：IPB025N10N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA028N08N3 G
  仓库库存编号：IPA028N08N3 G-ND
  别名：IPA028N08N3G
  IPA028N08N3GXKSA1
  SP000446770
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP028N08N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP028N08N3GXKSA1-ND
  别名：IPP028N08N3 G
  IPP028N08N3 G-ND
  IPP028N08N3G
  SP000680766
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB027N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB027N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB027N10N3 GCT
  IPB027N10N3 GCT-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP030N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP030N10N3 G
  IPP030N10N3 G-ND
  IPP030N10N3G
  SP000680768
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），100A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS7650DC
  仓库库存编号：FDMS7650DCCT-ND
  别名：FDMS7650DCCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB020NE7N3 G
  仓库库存编号：IPB020NE7N3 GCT-ND
  别名：IPB020NE7N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT270AL
  仓库库存编号：AOT270AL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 75V 21.5A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB270AL
  仓库库存编号：AOB270AL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GXKSA1-ND
  别名：SP000680648
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 79A（Tc） 41W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA030N10N3 G
  仓库库存编号：IPA030N10N3 G-ND
  别名：IPA030N10N3G
  IPA030N10N3GXKSA1
  SP000464914
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI028N08N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI028N08N3GHKSA1-ND
  别名：IPI028N08N3 G
  IPI028N08N3 G-ND
  SP000395160
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GHKSA1-ND
  别名：IPI030N10N3 G
  IPI030N10N3 G-ND
  SP000469884
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc）
  
  型号：IPP023NE7N3 G
  仓库库存编号：IPP023NE7N3 GCT-ND
  别名：IPP023NE7N3 GCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 206nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI023NE7N3 G
  仓库库存编号：IPI023NE7N3 G-ND
  别名：IPI023NE7N3G
  
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